Germanium

l'autre dopé P. Au niveau de la jonction la recombinaison des charges libres forme une barrière de potentiel, équivalente à une barrière de potentiel de: - Vs = 0,6V pour le silicium, 2 Electronique de puissance 2005 / 2006 - Vs = 0,2V pour le germanium, - Vs = 1,2V pour le gallium. I I VD Vc Vs VD Lorsque la diode est polarisée en inverse, elle est bloquée. Elle se comporte alors comme une capacité Ct: capacité de transition. Une tension VD négative inférieure à Vc, la tension de claquage

pour la détection et le traçage de signaux dans les étages HF de récepteurs. C’est d’ailleurs cette caractéristique qui lui permet d’avoir une large bande passante entre l’antenne et la diode de réception. Cette dernière devra être un modèle au germanium en raison de son faible seuil. La détection d’un signal haute fréquence se fait par l’intermédiaire d’un buzzer et visuellement par une led. La self est un modèle radial au pas de 5,08.  Elle devra, comme la diode de détection être soudée à ras de

1 - 11 Apr 2006 A . Généralités sur les capteurs de gaz résistifs : Principe et Réalisation L’idée d’utiliser un matériau semi-conducteur comme élément sensible au gaz vient de M. Brattain et M. Barden en 1952 avec des matériaux tel que le germanium. Plus tard, Seiyama a démontré l’effet de la sensibilité au gaz sur des oxydes métalliques. Taguchi commercialise finalement les premiers capteurs de type semi-conducteur dans les années 1970. Le TGS (Taguchi Gas Sensors) est toujours commercialisé

laboratoire Bell par trois scientifiques William Shockley, Walter Brattain et John Bardeen. Contrairement au tubes à vide fragile et gourmand en énergie, le transistor était à base de petits matériaux appelés semiconducteur dont les plus connus sont le germanium et le silicium. Le transistor avait comme fonction l’amplification, mais pouvait aussi servir de commutateur électronique. Le transistor malgré sa petite taille et sa faible consommation, nécessite cependant une interconnections complexe parce que

= 1,6 · 10−19 C 6.3. On suppose que dans un cristal de germanium, un atome sur 109 atomes donne un électron libre. 1) Calculer le nombre n e d’électrons libres par unité de volume sachant que : la masse molaire atomique de Ge : M = 72,6 g · mol−1 d = 5,36 g · cm−3 la densité de Ge : N = 6,02 · 1023 mol−1 la nombre d’Avogadro : 2) La mobilité μ des électrons libres étant égale à 0,38 m2 · V−1 · s−1 , calculer la conductivité σ du germanium. 3) En fait, le nombre d’atomes donnant un électron libre

Difluorodibromométhane Voir Dichlorofluorométhane Voir Chlorodifluorométhane 5 Voir Carbofurane 2 7,9 Pc 21 (suite) VALEURS D'EXPOSITION ADMISSIBLES DES CONTAMINANTS DE L'AIR [7782-65-2] [111-30-8] [56-81-5] [556-52-5] 25 10 76 0,2 0,63 P0,1 P0,41 RP,S Germanium, tétrahydrure de Glutaraldéhyde Glycérine (brouillards) Glycidol Graphite (fibres) Graphite (toutes formes sauf fibres) Guthion® Gypse Hafnium Halothane Hélium Heptachlore Heptachlore, époxyde d' Heptane normal Heptanone-2 Heptanone-3 Hexachlorobenzène

voici le compte rendu d’une expérience unique au monde. On a fait lire à successivement Mme Sylvie B. directrice de zoo volontaire, deux lettres d’étudiants postulant à un stage dans son établissement. Grâce à des électrodes enrichies d'un alliage germanium-pelargonium iridié, le cerveau de Mme B. a pu être examiné par tomo-ipsoscintigraphie à décalage de phase modulé sur 92.5 MHz. Le traitement du signal par douze puissants ZX Sinclair 81 montés en parallèle permet pour la première fois de retranscrire

1878. En 1879, d’autres terres rares seront répertoriées : le scandium, le samarium, le thullium, puis le gaddilium en 1880. En 1886, Lecoq de Boisbaudran isole le dysprosium et Henri Moissan le fluor. La même année, Clemens Winkler découvre le germanium. À la fin du siècle, Ramsay découvrira l’argon (1894) et l’hélium (1895) et enfin la découverte des autres gaz rares (néon, krypton et xénon). Colorants synthétiques et caoutchouc La synthèse chimique va surtout se développer dans les domaines

diagramme (PT) P eau S T L G C T CPGE/B.Mellal Page-33/43- -SAID EL FILALI- 6.4 Transfert thermique Thermodynamique-M.P.S.I ∂P )>0 ∂T ∂P ♦ L⇌G:( )>0 ∂T ∂P ♦ S ⇌ L : ( ) > 0, sauf pour : l’eau , bismuth,l’antémoine, germanium ,silicium ou ∂T ∂P ) < 0. ( ∂T ♦ C = Point critique. ♦ T = Point triple : c’est le point de cœxistance des trois phases. ♦ Au point T la pression et la température sont fixes . T (273.16K − 613P a) Par exemple pour l’eau C(647.3K − 22.1 × 106 P a)

Changement d’état en diagramme (PT) P eau L S T C G T CPGE/B.Mellal Page-33/43- -SAID EL FILALI- 6.4 Thermodynamique-M.P.S.I Transfert thermique ∂P )>0 ∂T ∂P ♦ L⇌G:( )>0 ∂T ∂P ♦ S ⇌ L : ( ) > 0, sauf pour : l’eau , bismuth,l’antémoine, germanium ,silicium ou ∂T ∂P ) < 0. ( ∂T ♦ C = Point critique. ♦ T = Point triple : c’est le point de cœxistance des trois phases. ♦ Au point T la pression et la température sont fixes . T (273.16K − 613P a) Par exemple pour l’eau C(647.3K − 22.1 × 106 P a)