Indium

lors d’une fission en entrainent une autre mais seul l’un d’entre eux en provoque d autres absorbés par absorbants neutroniques Absorbants neutroniques : absorbe les neutrons, ce sont des barres qui sont lachés dans le réacteur , composés de argent indium cadmium 80% de l’E utilisé en Fr est d’origine nucléaire Mouvement contre nucléaire en 1970 3 arguments 2 types de déchets : intensité de leur rayonnement radioactif (haute ou faible) et leur période de radioactivité(longue ou courte) Gros pb :

temps dans les premiers temps d'exposition à la lumière naturelle (3-6 mois), pour se stabiliser ensuite. IV Conclusion Page 12 c. Cellule photovoltaïque CIGS (Cuivre Indium Gallium Sélénium). Les cellules CIS représentent la nouvelle génération de cellules solaires sous forme de films minces, de type cuivre-indium-sélénium (CIS). Les matières premières nécessaires à la fabrication des cellules CIS sont plus faciles à se procurer que le silicium utilisé dans les cellules photovoltaïques

Palladium Rhodium Lanthane Cérium Praséodyme Néodyme Prométhium Samarium Europium Gadolinium Yttrium Cobalt Titane Tungstène Rhénium Béryllium Vanadium Ruthénium Iridium Osmium Terbium Dysprosium Holmium Erbium Thulium Ytterbium Lutétium Scandium Gallium Indium Tantale Germanium Lithium Argent Terres Rares Autres métaux 1 2 H 3 4 Platinoïdes Terres Rares Autres métaux 5 6 7 8 9 He 10 Li 11 Be 12 B 13 C 14 N 15 O 16 F 17 Ne 18 Na Mg 19 20 21 22 23

recherche et développement. Les principales technologies industrialisées en quantité à ce jour sont : le silicium mono ou poly-cristallin (plus de 80% de la production mondiale) et le silicium en couche mince à base de silicium amorphe ou CIS (Cuivre Indium Sélénium). Energie solaire photovoltaique.doc / B. Flèche - D. Delagnes / juin 07 Page 5 STI ELT Production d’énergie électrique : ENERGIE SOLAIRE PHOTOVOLTAIQUE Approche générale 2.2.1 Les modules photovoltaïques au silicium Processus

modules photovoltaïques en couches minces : Certaines études prospectives estiment que la part de marché des couches minces pourrait atteindre 30% d’ici 2030. Les technologies couches minces tels que le CdTe (Diseleniure de Cuivre Indium Gallium), le CIS (Cuivre Indium Sélénium),le DSSC (à base de dioxyde de titane) et le TeCd (Tellure de Cadmium) sont différentes les unes des autres. Certaines sont composées à base de matériaux toxiques, comme le Cadmium, qui doivent être traités avec une attention

le plan perpendiculaire.Figure 8    2.3 Matériaux électroluminescents :Les semi-conducteurs utilisés sont des composés III-V, c'est à dire, des composés d'un élément de 3 ième colonne du tableau périodique des éléments( Aluminium Al, Gallium Ga, Indium In) et d'un élément de la 5ième Colonne ( Phosphore P, Arsenic As Antimoine Sb). On utilise le plus souvent des alliages de ces composés, d'où des systèmes ternaires (GaAlAs)ou quaternaires (GaInAsP). Les paramètres permettant de fixer la composition

recherche et développement. Les principales technologies industrialisées en quantité à ce jour sont : le silicium mono ou poly-cristallin (plus de 80% de la production mondiale) et le silicium en couche mince à base de silicium amorphe ou CIS (Cuivre Indium Sélénium). Energie solaire photovoltaique.doc / B. Flèche - D. Delagnes / juin 07 Page 5 STI ELT Production d’énergie électrique : ENERGIE SOLAIRE PHOTOVOLTAIQUE Approche générale 2.2.1 Les modules photovoltaïques au silicium Processus de fabrication

Hollande) A : Armatures D : Paroi en verre (isolant ou diélectrique) 3.5 Fonctionnement d’un écran capacitif On recouvre la surface en verre de l’écran d’un dépôt conducteur, généralement de l’ITO (oxyde d’étain et indium). Ce matériau est transparent lorsqu’il est disposé en très faible épaisseur. Un courant est introduit et cette couche est reliée à des électrodes déposées sur les bords de l’écran. Ainsi, on crée un champ électrique uniforme à la surface de l’écran

rugosité 10 µm, pression de 105 kN.m-2 fluide à l’interface  Rcontact (m2.K.W-1) air 2.7510-4 huile de silicone 0.52510-4 glycérine 0.26510-4 hydrogène 0.72010-4 joints thermiquement conductifs : - métaux doux : indium, plomb, argent - graisses thermiques à base de silicone lplomb = 35.3 W.m-1.K-1 lsilicone = 148 W.m-1.K-1 aluminium/aluminium + feuille d’indium acier inoxydable/ acier inoxydable + feuille d’indium : 0.0710-4 m2.K.W-1 : 0.0410-4 m2

absorbent la lumière incidente de faible énergie, non absorbée auparavant, tout en délivrant un faible potentiel. Les semi-conducteurs les plus utilisés dans les cellules multifonctions sont les suivants : il s'agit de couches de Phosphure de Gallium-Indium (InGaP), d'arséniure d'Indium et de Gallium (GalnAs). Les efforts de recherche se concentrent actuellement sur les cellules multi-jonctions à base de semi-conducteurs (Al,Ga,In)P epitaxiés sur des substrats de GaAs. A l'inverse des cellules