Indium

modules obtenus directement par des procédés en couches minces : Il existe quatre types de modules en couches minces. Leurs noms sont dérivés de l’un des principaux matériaux actifs de la cellule : tellurure de cadmium (CdTe), diséléniure de cuivre-indium (CIS), silicium amorphe, silicium cristallin en couche mince. Le silicium amorphe est déjà produit à l’échelle commerciale alors que les trois autres technologies approchent du stade de commercialisation. Les modules en couches minces sont déposés

Etendu avec Pack Sport AMG 511 - 505 507 508 525 040 l l l l l l Argent palladium 792 l l s l l m Argent diamant 988 Argent iridium 775 l l m l l m Beige indium 963 Gris ténorite 755 s s l Bleu cavansite 890 Brun cuprite 497 l l m 197 l l Noir obsidienne 996 l l m 799 l l 795 l l PEINTURE NON MÉTALLISÉE Noir PEINTURES

les propriétés ou la structure de l'alliage final. Il est donc important de connaître l'ensemble des com-posants. Aux éléments de base sont ajoutés en proportions variables l'argent, le cuivre, et selon les alliages, des microadditions de ruthénium, indium, fer, manganèse, zinc, tantale, étain, gal-lium, niobium... Avec six constituants métalliques ou plus, certains alliages sont donc complexes. I.2.1 ● Constituants principaux L'or (Au) Inerte chimiquement, il augmente la résistance à la corrosion

irritants semblables) Hydrazine Hydrocarbures polycycliques aromatiques (fraction soluble dans le benzène) Hydrogène Hydrogène antimonié Hydrogène sélénié Hydrogène sulfuré Hydroquinone Hydroxy-4 méthyl-4 pentanone-2 Hydroxytricyclohexylstannane Indène Indium [7440-74-6] et ses composés (exprimée en In) Iode Iodoforme Iodométhane Iodure de méthyle Isocyanate de méthyle Isocyanates [74-88-4] [624-83-9] [7553-56-2] [75-47-8] [95-13-6] [123-31-9] [1333-74-0] [68956-68-3] [302-01-2] 0,1 10 0,13 Pc,C2

états du sud disent qu'il faut compter tt la pop même les esclaves. Or dans les Etats du sud il y a la moitié de la pop qui sont es esclaves. Les Etats du Nord ne veulent APS car sinon le sud contrôlerait la Fed. Compromis : un esclave vaut 3/5 d'un indium, le nombre de représentants des Etats du sud sera donc fait sur cette base. Ce compromis sera tenu jusqu'en 1865 ou après la guerre de sec et l'aboli de l'esclavage. On multipliera cependant au sud les lois raciales. Un siècle après ces lois seront

Bore Carbone Azote Oxygène Fluor B 10,81 13 10 VIII B 28 Ni 11 IB 29 Cu Nickel Cuivre Pd Ag 58,69 46 Palladium 106,42 78 Pt Platine 195,08 110 Ds 63,55 47 63 Eu Europium 151,97 95 Am Américium 243 Aluminium 26,98 31 Ga Indium 114,82 81 Tl Mercure Thallium Rg Uub 280 285 157,25 96 Cm Curium 247 32 200,59 112 Terbium 158,93 97 Bk Berkélium 247 Arsenic 74,92 72,61 50 Pb Bi 121,76 83 19,00 17 20,18 18 Soufre Chlore Argon Se Sélénium 78,96 52

facteur supérieur à 103. La conduction dite de type N (négative) est assurée par des électrons. Les électrons sont les porteurs majoritaires. 2. Dopage de type P On introduit dans le réseau une impureté trivalente : bore B, aluminium Al, gallium Ga, indium In. Il manque à l’impureté un électron de valence pour assurer les 4 liaisons avec les atomes de silicium voisins. Un faible apport d’énergie (» 0,05 eV) suffit pour qu’un électron d’un silicium voisin soit capté par l’impureté : il y a formation

d’absorption excessive de deutérium et jusqu’à 500°C pour le tritium. Le lithium liquide à quasiment la même capacité calorifique que l’eau (3,5J/g/K), on peut donc évacuer efficacement la chaleur radiée sur la paroi liquide. -B- Le gallium : En alliage (indium 20,5% et étain 12,5%), sa température de fusion est de 32°C et il se vaporise à 2400°C. Sa plage d’utilisation est beaucoup plus grande que celle du lithium (900°C) mais ce métal est très lourd (z = 31) et la pollution du plasma est donc très forte

facteur supérieur à 103. La conduction dite de type N (négative) est assurée par des électrons. Les électrons sont les porteurs majoritaires. 2. Dopage de type P On introduit dans le réseau une impureté trivalente : bore B, aluminium Al, gallium Ga, indium In. Il manque à l’impureté un électron de valence pour assurer les 4 liaisons avec les atomes de silicium voisins. Un faible apport d’énergie (» 0,05 eV) suffit pour qu’un électron d’un silicium voisin soit capté par l’impureté : il y a formation

porteurs de charge négatives, le semi-conducteur extrinsèque est dit de type N. Electronique Numérique par A. OUMNAD 13 II.8.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type P Ici, les atomes d'impureté sont des accepteurs (bore, aluminium, gallium, indium), ils ont seulement trois manque un Si électron électrons sur la couche de valence. Si on les introduit dans un cristal intrinsèque, ils mettent en commun leurs 3 électrons avec les 4 atomes du semi-conducteur qui les In Si Si entourent pour former