Indium

98 31 Ga 28,09 32 Ge 30,97 33 As 32,06 34 Se 35,45 35 Br 39,95 36 Kr Cuivre Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium Brome Krypton 63,55 47 Ag 65,38 48 Cd 69,72 49 In 72,59 50 Sn 74,92 51 Sb 78,96 52 Te 79,90 53 I 83,80 54 Xe Indium Étain Antimoine Tellure Iode Xénon 114,8 81 Tl 118,7 82 Pb 121,8 83 Bi 127,6 84 Po 126,9 85 At 131,3 86 Rn Thallium Plomb Bismuth Polonium Astate Radon 204,4 207,2 209,0 (209) (210) (222) 4 22 Ti 5 23 V 6 24 Cr 7 25 Mn

| |Bleu |450 < λ < 500 |2,48 < ΔV < 2,76 |séléniure de zinc (ZnSe) | | | | |nitrure de gallium/indium (InGaN) | | | | |carbure de silicium (SiC) | |Violet |400 < λ < 450 |2,76 < ΔV < 3,1 |

laboratoire et de 15 à 20 % en production industrielle, suivant la cristallographie du silicium. Le reste du marché utilise les modules à base de couches minces en matériaux semi-conducteurs simple (silicium amorphe et microcristallin) ou composé (cuivre-indium-gallium-selenium CIGS, tellure de cadmium CdTe…). Ils constituent la deuxième génération pour laquelle des progrès importants ont été observés, ces dernières années, tant sur le rendement de conversion (de 10 à 18 %) que sur la fiabilité, accompagnés

d’inaltérabilité, d’in oxydabilité et sa finesse. Zinc (Zn) : les gisements exploitables à un coût admissible seront épuisés en 2025 ; utilisé dans l’électronique comme par exemple dans la fabrication des « magnetic random access memory » (MRAM). Indium (In) : les gisements exploitables à un coût admissible seront épuisés en 2025 (voire 2018) ; utilisé massivement depuis peu dans le cadre de la fabrication des écrans LCD. Plomb (Pb) : les gisements exploitables à un coût admissible seront épuisés

que son rendement est 2 à 3 fois plus faible que les cellules monocristallines. Les cellules sans silicium en couche mince CIS : Les cellules CIS représentent la nouvelle génération de cellules solaires sous forme de films minces, de type cuivre-indium-sélénium (CIS). Les matières premières nécessaires à la fabrication des cellules CIS sont plus faciles à se procurer que le silicium utilisé dans les cellules photovoltaïques classiques. De plus, leur efficacité de conversion énergétique est la plus

couches minces principales sont le Silicium amorphe (Sia) utilisé depuis de longues années, dans les montres et calculatrices notamment, le CdTe (hétéro jonction cadmium telluride, sulfure de cadmium ), le CIS (hétéro jonction de disélénure cuivre indium/ sulfure de cadmium). Elles ouvrent donc d’autres voies, sans que l’on sache laquelle dominera. La fabrication se réalisera en automatique, avec tunnels pour les dépôts divers de couches et connexions par laser. Elle est adaptée aux grosses productions

d’électrons de cristal. Dans ce semi-conducteur dopé N, les électrons sont majoritaires et les trous, provenant de la conduction intrinsèque, seront minoritaires Semi conducteur de type P Si on introduit maintenant une impureté de valence 3(indium ou gallium), l’atome d’impureté ne peut assurer que trois liaisons avec les quatre atomes de silicium voisins. [pic] Il y a un manque d’électrons et tout se passe comme s’il y avait un trou. Dans ce semi conducteur dopé P, les trous sont majoritaires

films très minces par le même procédé que l’impression des journaux (impression au Cuivre Indium Gallium Sélénium). Avec ce procédé, les cellules photovoltaïques créées ont un coût de production exceptionnel : il passe de 3$ par Watt à 30 cents par Watt, Watt rendant par la-même le développement de l’énergie solaire plus rentable que l’exploitation des énergies fossiles. Par ailleurs, le CIGS (Cuivre-Indium-Gallium-Sélénium) permettrait de remédier à la pénurie actuelle de silicium entrant habituellement

et électroniques : La composition des équipements est évidemment très variable d’un équipement à un autre. On retrouvera principalement : * des métaux ferreux, * des métaux non ferreux (cuivre, plomb, étain), * des métaux rares (or, indium, …), * des matériaux inertes : verre, béton… * des plastiques, contenant ou non des retardateurs de flamme halogénés, * des composants spécifiques : CFC et autres gaz à effet de serre, piles et accumulateurs, tubes cathodiques avec luminophores

et inerte, le composé peut poser des problèmes de toxicité en cas de mise en contact direct (pollution potentielle de l’air, de l’eau, avec risques sanitaires). Cette filière présente un fort potentiel de développement. Le diséléniure de cuivre et indium (CIS ou CIGS) permet d'atteindre des épaisseurs inférieures au micromètre, est présente aujourd'hui dans de nombreux projets industriels, avec un rendement de 11 à 13%. • • Enfin, d’autres techniques émergent : • • L’arséniure de gallium (GaAs)