Jonction serrée

Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4 Barrière de potentiel . . . . . . . . . . . 3

formées. Ceci est réalisé dans un dispositif appelé jonction pn. I-4 Jonction p-n. Lorsqu'un semi-conducteur dopé p est mis en contact avec un semi-conducteur dopé n, les électrons en excès dans la région n diffusent vers l'interface. Il en résulte une charge d'espace dans une région d'environ 1 µm autour de l'interface, ce qui produit un champ électrique qui peut être calculé grâce à l'équation de Poisson. La barrière de potentiel au niveau de la jonction est donnée par : Vi = E F − EF n p (5) q

avec commentaire des graphes : Pour étudier la relation entre la tension appliquée et l’intensité de courant d’une diode à semi-conducteurs, on obtient des résultats différents. Vous voyer la courbe caractéristique courant-tension des diodes à jonction, on examine sa courbe lorsqu’une tension est appliquée à la diode par connexion normale, l’intensité du courant varie comme l’indique la courbe de la polarisation directe. Remarquer qu’il suffit de quelques dixièmes de volts pour provoquer un courant

branchement de la diode a donc une importance sur le fonctionnement du circuit électronique. Il existe de nombreuses familles de composants électroniques dont la désignation contient le mot diode et tous ces composants sont réalisés autour d'une jonction PN. Symbole d'une diode dans un circuit Il existe différents types de diodes qui sont : * La diode de redressement * La diode Zener * La diode à vapeur de mercure * La diode Schottky * La diode électroluminescent ou DEL

TD d’électronique N° 1 : diodes Corrigé en TD TD d électronique N° 2 Exercice 1 : état des diodes Pour chacun des montages suivant, déterminer l’état de la diode supposée idéale, et calculer la valeur du courant qui la traverse. Les valeurs des résistances sont exprimées en kΩ . Exercice 2 Montage écrêteurOn considère le montage suivant qui utilise une diode supposée parfaite, le générateur ve(t) dont le graphe est donné ci-après fournit une tension triangulaire d’amplitude de 50V et de

LEEA 3emeA, C. TELLIER, 23.08.04 1 Chapitre 2 : Jonction P-N et diodes 1. Description de la jonction P-N 1.1 Phénomènes physiques à l'établissement de la jonction (pas de tension de polarisation, équilibre thermodynamique) • Il existe un gradient de concentration à la jonction les porteurs majoritaires d'une région diffusent vers la région ou ils sont en plus faible concentration au voisinage de la jonction on a apparition d'une: zone de déplétion (pas de porteurs libres) correspond

............................ 4 1) Principe du BJT (bipolar jonction transistor) : L’effet transistor .................................... 4 2) Etude de la structure du transistor NPN .......................................................................... 4 a) Polarisation directe de la jonction Base –Emetteur....................................................... 4 b) polarisation en inverse de la jonction Base-Collecteur .................................................

direction, et band symbol e Schematically, the arrow represents un direction of the current flow. The un courton circuit dans l’autre. Une cathode, an old term taken from vacuum laquelle le courant the diode represents the diode consiste en une jonction p-n, dans tube days. Physically thecircule is amat´riel p vers le current flow predominantly from p to n type material. diode du pn e junction with n. 1. Choose a silicon diode and measure its forward and reverse resistance with the digital

thermoélectronique. Le silicium a apporté les avantages suivants : coût, fiabilité, encombrement, simplicité d'utilisation . 06/03/2014 4 Materiaux de type P et N ECINE 2ème année http://www.ineer.org/Events/ICEE1999/Proceedings/papers/334/334.htm Jonction P-N ECINE 2ème année http://www.ineer.org/Events/ICEE1999/Proceedings/papers/334/334.htm Recombinaison des porteurs ECINE 2ème année http://www.ineer.org/Events/ICEE1999/Proceedings/papers/334/334.htm Zone de déplétion ECINE 2ème année http://www

Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4 Barrière de potentiel . . . . . . . . . . . 3.2.5