Jonction serrée

Enoncés È Exercice 9.1 |α| = IC /IE = 99,5/100 = 0,995. β = α/(1 – α) = IC/IB ≈ 200 Exercice 9.2 Le circuit d’entrée donne : IB = (VBM – VBE)/RB = 9,3/(47.103) = 0,2 mA. Le circuit de sortie donne : VCE = VCC – RC.IC = 10 – RC.β.IB = 10 – 5.β ; Tout transistor ainsi alimenté est saturé (VCE ≈ 0 ; IC < β.IB). Exercice 9.3 Le circuit d’entrée donne : IB = (VBM – VBE)/RB = 4,3/(4,7.103) = 0,915 mA. Le circuit de sortie donne : VCE = VCC – RC.IC = 5 – 0,43.β ; Tout transistor ayant un

DIODES SPÉCIALES. DIODES ZENER. Préréquis: Cours sur la diode Durée : 4 périodes But : (a) Etude de la caractérisique d’une diode Zener; (b) Tracer le schéma équivalent d’une diode Zener; © Etude de stabilisation de tension. Caractéristique. Nous avons déjà parlé de l'effet zéner. Il concerne la caractéristique inverse de la diode. En direct, une diode zéner se comporte comme une mauvaise diode normale. En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet zéner et / ou d'avalanche

Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4 Barrière de potentiel . . . . . . . . . . . 3

matériau au lieu de se recombiner simplement en son sein : ainsi, il apparaîtra une différence de potentiel et donc une tension entre les deux faces, comme dans une pile. Pour cela, on s'arrange pour créer un champ électrique permanent au moyen d'une jonction PN, entre deux couches dopées respectivement P et N : Structure d'une cellule photovoltaïque * La couche supérieure de la cellule est composée de silicium dopé N[2]. Dans cette couche, il existe une quantité d'électrons libres supérieure à

circuler si la tension appliquée aux bornes de l’élément semiconducteur est suffisamment élevée. La tension inverse permettant la conduction brusque de la diode est appelée tension Zener. Pour obtenir une tension Zener, il faut fortement doper la jonction p-n de la diode de manière à permettre un passage « facile » des électrons de la bande de valence de la zone dopée p à la bande de conduction de la zone dopée n. Les porteurs de charges (des éléments de dopage) ainsi libérés sont assez nombreux pour

ou extrinsèques ...................................................................................... 9 La jonction P-N .............................................................................................................................. 10 Jonction P-N polarisée en inverse ................................................................................................. 11 Jonction P-N polarisée en direct...................................................................................

220 Ohm * Une table d’alimentation * Un transistor bipolaire NPN Rappel théorique : Un transistor bipolaire est un composant à trois pattes (Base, émetteur, collecteur)  , il est composé d’un cristal semi-conducteur comprenant deux jonction PN. Il peut être assimilé a deux diodes « tête-bêche » mais, en pratique, il n peut être remplacés par deux diodes simples. Le transistor est composés de trois régions : Une région N fortement dopée pour l’émetteur E. Une région P faiblement dopée

I. -BUT Les travaux pratiques numéro 1 en électronique “Caractéristiques d’une diode” nous a permit dans le premier temps de voir a travers l’oscilloscope, la caractéristique d’une diode au silicium et celui d’une diode zener et dans un deuxième temps de voir comment varier leurs tensions du en direct comme en inverse lorsqu’on fait varier la tension du GBF. Mais nous tenons a rappelé que ces composantes sont de type non linéaires avec I=Is(e qv/kt - 1). II. BRANCHEMENT EN DIRECT 1) DIODE AU

car il va permettre d'amplifier un signal, et de commander des actionneurs requérant de la puissance (haut parleurs moteurs, etc.) avec des signaux de faible niveau issus de capteurs (microphone, sonde de température, de pression,). Le transistor à jonction va permettre de remplir (entre autres) cette fonction en électronique. Son domaine d'action est donc particulièrement vaste A noter qu'avant le transistor, cette fonction était remplie par des tubes à vide (triodes entre autres). L'avènement du transistor

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE DIODES A JONCTION CHAP I - DDIODES A JONCTIONN IDéfinition – symbole Une diode à jonction est une jonction PN munie de deux électrodes sur chaque extrémité. L’électrode du côté P est l’anode (A) et celle du côté N est la cathode (K). Le courant dans la diode ne peut passer que dans un seul sens : de l’anode vers la cathode. Symbole II- Caractéristique courant-tension d’une diode En direct VBR V0 En inverse Pour VD < 0 la diode est dite en polarisation inverse. Le courant