P-Funk

donc aucune puissance. 1.2 – Diode réelle à semi-conducteur L’anode est la zone P d’une jonction P-N. La zone de type N est la cathode. En polarisation inverse, le courant inverse est très faible mais il croît rapidement avec la température de la jonction. P En polarisation directe, au-delà de la tension de seuil (VS ≈ 0,6 V U pour le silicium), la diode est conductrice. On peut définir en chaque U seuil point P de la caractéristique une résistance statique (trait bleu) : nA RS = V/I et une résistance

Séries fonctionnant en logique non saturée : S ( Schottky ); L.S ( Low Power Schottky ); A.L.S ( Advanced L.S ); A.S ou F.A.S.T (Fairchild A.S Technology). La technologie MOS contient les familles logiques suivantes : - MOS : à canal N - MOS : à canal P - CMOS : MOS complémentaire III - 2 - Technologie bipolaire : Nous allons décrire par la suite trois familles logiques importantes à savoir T2.L, I2.L et E.C.L. III - 2 - 1- Famille logique T2.L : III - 2 - 1- 1 - Introduction : La fabrication des circuits

extrinsèques ...................................................................................... 9 La jonction P-N .............................................................................................................................. 10 Jonction P-N polarisée en inverse ................................................................................................. 11 Jonction P-N polarisée en direct.........................................................................................

Les principaux composants et fonctions électroniques I – LES DIODES I – 1 – Physique des composants La diode à jonction est un composant électronique constitué essentiellement d’une jonction P-N qui est la zone très mince d’un monocristal semi-conducteur dans laquelle la conduction passe du type P au type N. ZAÏBI.G 2 I – 1 – Physique des composants I – 1 – 1 – Les semi-conducteurs a / Semi-conducteurs intrinsèques (ou purs) : • Ce sont des matériaux qui sont isolants presque parfaits

Enoncés È Exercice 9.1 |α| = IC /IE = 99,5/100 = 0,995. β = α/(1 – α) = IC/IB ≈ 200 Exercice 9.2 Le circuit d’entrée donne : IB = (VBM – VBE)/RB = 9,3/(47.103) = 0,2 mA. Le circuit de sortie donne : VCE = VCC – RC.IC = 10 – RC.β.IB = 10 – 5.β ; Tout transistor ainsi alimenté est saturé (VCE ≈ 0 ; IC < β.IB). Exercice 9.3 Le circuit d’entrée donne : IB = (VBM – VBE)/RB = 4,3/(4,7.103) = 0,915 mA. Le circuit de sortie donne : VCE = VCC – RC.IC = 5 – 0,43.β ; Tout transistor ayant un

DIODES SPÉCIALES. DIODES ZENER. Préréquis: Cours sur la diode Durée : 4 périodes But : (a) Etude de la caractérisique d’une diode Zener; (b) Tracer le schéma équivalent d’une diode Zener; © Etude de stabilisation de tension. Caractéristique. Nous avons déjà parlé de l'effet zéner. Il concerne la caractéristique inverse de la diode. En direct, une diode zéner se comporte comme une mauvaise diode normale. En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet zéner et / ou d'avalanche

Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.2.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description

respectivement P et N : Structure d'une cellule photovoltaïque * La couche supérieure de la cellule est composée de silicium dopé N[2]. Dans cette couche, il existe une quantité d'électrons libres supérieure à une couche de silicium pur, d'où l'appellation de dopage N, comme négatif (charge de l'électron). Le matériau reste électriquement neutre : c'est le réseau cristallin qui supporte globalement une charge positive. * La couche inférieure de la cellule est composée de silicium dopé P[3]. Cette

semiconducteur est suffisamment élevée. La tension inverse permettant la conduction brusque de la diode est appelée tension Zener. Pour obtenir une tension Zener, il faut fortement doper la jonction p-n de la diode de manière à permettre un passage « facile » des électrons de la bande de valence de la zone dopée p à la bande de conduction de la zone dopée n. Les porteurs de charges (des éléments de dopage) ainsi libérés sont assez nombreux pour que le courant augmente brutalement et pour que la tension

extrinsèques ...................................................................................... 9 La jonction P-N .............................................................................................................................. 10 Jonction P-N polarisée en inverse ................................................................................................. 11 Jonction P-N polarisée en direct.........................................................................................