P-Funk

comprenant deux jonction PN. Il peut être assimilé a deux diodes « tête-bêche » mais, en pratique, il n peut être remplacés par deux diodes simples. Le transistor est composés de trois régions : Une région N fortement dopée pour l’émetteur E. Une région P faiblement dopée pour la base B et une grande région N moyennement dopée pour le collecteur C. Le transistor permet donc d’amplifier de faibles signaux électriques. Schémas Electroniques : P2/7 Relevées des données Par ordinateur : VCE [mV] |

le message vers le cortex frontal, sur les zones contrôlant : les émotions, l'attention, l'agressivité et bien sûr sur le système de récompense dans son ensemble. Sa sécrétion entraîne une sensation de bien-être. Mais nous avions vu que la substance P était sécrétée au moment de l'arrivée d'un message nerveux nociceptif, quant est-il pour la dopamine? La sécrétion de dopamine est elle aussi reliée à des stimuli extérieurs. Ainsi, la vue d'aliments apétissants ou tout autres sensations agréables engendreront

I. -BUT Les travaux pratiques numéro 1 en électronique “Caractéristiques d’une diode” nous a permit dans le premier temps de voir a travers l’oscilloscope, la caractéristique d’une diode au silicium et celui d’une diode zener et dans un deuxième temps de voir comment varier leurs tensions du en direct comme en inverse lorsqu’on fait varier la tension du GBF. Mais nous tenons a rappelé que ces composantes sont de type non linéaires avec I=Is(e qv/kt - 1). II. BRANCHEMENT EN DIRECT 1) DIODE AU

(transformateur)), et plus tard, la fiabilité, le faible coût II. PRINCIPE ET CARACTÉRISTIQUES. A. INTRODUCTION À L'EFFET TRANSISTOR. Nous avons déjà vu à propos de la diode que si celle-ci est polarisée en inverse, les porteurs minoritaires (électrons de la zone P et trous de la zone N, créés par l'agitation thermique) traversent sans problèmes la jonction et sont accélérés par le champ extérieur. On a vu aussi que lorsque les porteurs majoritaires d'une zone franchissent la jonction, ils deviennent minoritaires

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE DIODES A JONCTION CHAP I - DDIODES A JONCTIONN IDéfinition – symbole Une diode à jonction est une jonction PN munie de deux électrodes sur chaque extrémité. L’électrode du côté P est l’anode (A) et celle du côté N est la cathode (K). Le courant dans la diode ne peut passer que dans un seul sens : de l’anode vers la cathode. Symbole II- Caractéristique courant-tension d’une diode En direct VBR V0 En inverse Pour VD < 0 la diode est dite en polarisation inverse. Le courant

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP TEC Canal N P G : Grille G S Canal N S: Source D : Drain D Symbole : Canal N N G P Substrat N : semi-conducteur de type N Substrat P : semi-conducteur de type P Canal N est conducteur par nature Pour moduler le canal : jonction PN polarisée en inverse. D G P N Canal P D G S S Fonctionnement TECnormal Canal N : TEC Canal P VGS ≤ 0 VGS ≥ 0 VDS ≥ 0 VDS ≤ 0 La source est la référence commune TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP Principe de fonctionnement : G :

TP Diode 3.0 Manipulations - Diodes de redressement 3.1 Diode en série 3.2 Diode en série et condensateur de filtrage Ce signal permet de lisser les variations de tension après redressement pour obtenir une tension proche du continu. 20Hz : photo 1 Tension VS Vpp = 40 V Tension Ve Vpp = 90 V 1 kHz : photo 2 Tension VS Vpp = 24 V Tension Ve Vpp = 9,40 V 20 kHz : Photo 3 Tension VS Vpp = 4,8 V Tension Ve Vpp = 10 V Lorsque la fréquence d'entrée augmente, on s'approche toujours

cette fréquence, d’autre part la nécessité de réduire les pertes Joule dans le composant limite également cette fréquence. Exemple numérique : Prenons E = 200 V, I = 10 A, P = 1000 W, tous les temps de commutation ΔT = 100 ns, fréquence de découpage f = 100 kHz. Les pertes par commutation seront de f ⋅ 2ΔT ⋅ E ⋅ I = 40 W soit 4 % de P. Les pertes par commutation sont directement proportionnelles à la fréquence de découpage pour un composant actif donné. C'est de là que 4 provient la limite en fréquence

classification regroupe tous les processus en 2 grandes catégories : les processus opérationnels et les processus de support. La classification proposée est une hiérarchie à 4 niveaux de la forme: C . G . P . A où C représente une des 12 catégories ci-haut G représente un groupe de processus P représente un processus A représente une activité (étapes) d’un processus La liste complète est disponible à l’adresse suivante http://www.apqc.org/portal/apqc/site/generic?path=/site/benchmarking/pcf

But : 1. Etudier l'influence de la polarisation directe inverse sur le courant d'une diode semi-conductrice. 2. relever la caractéristique courant tension d'une diode semi-conductrice. 3. apprendre à tester une diode semi-conductrice avec un ohmmètre. Caractéristique courant tension : |Polarisation directe |Polarisation inverse | |Vcc (V) |VAK (V) |I (mA) |Vcc (V)