Transistor

peut sembler banal de préciser qu'une diode arrête de conduire lorsque le courant devient nul. Cependant, cette règle est d'une importance capitale pour la compréhension du fonctionnement des circuits à diodes et à thyristors, et même de ceux à transistors. I.2. CARACTERISTIQUES PRINCIPALES D’UNE DIODE La tension inverse de crête : il existe une limite à la tension inverse que peut supporter la diode. Cette tension inverse de crête est généralement comprise entre 50V et 2000V, selon la construction

☞1948 : Progrès de la physique quantique avec découverte de l'effet transistor. ☞1950 : Réalisation des premières mémoires à ferrites. ☞1958 : Développement du premier circuit intégré (4 à 5 tr/puce). ☞1964 : Ordinateur à transistors (à base de circuits TTL : 50 transistors dans une puce) ☞1970 : Premiers circuits L.S.I.- naissance du premier microprocesseur 4 bits avec 1000 transistors sur une puce. ☞1975 : Naissance du microprocesseur Motorola 6800 (8 bits)

l’extrémité d’un câble qui se branche sur une interface. Circuit intégré (CI):composant qui contient des dizaines/centaines de transistors et qui effectue une tache précise (ex: calcul) LED :(Light Emitting Diode):un composant qui émet de la lumière s’il est traversé par un courant dans le bon sens. Resistance: un composant qui résiste au passage des électrons. Transistor : un composant qui amplifie un signal et peut servir de porte ON/OFF M. Doudou FAYE, ESMT 2 Support de cours base informatique

induction. . II Charge résistive . a Principe Deux alimentations délivrant deux tensions, continues et égales, alimentent une charge résistive par l’intermédiaire de deux interrupteurs K1 et K2. Ces deux interrupteurs peuvent être des transistors ou des thyristors, composants électroniques unidirectionnels commandés. Ils sont tels que si le premier est ouvert, l'autre est nécessairement fermé et inversement. Le basculement des interrupteurs est pratiquement instantané. Le montage est donné

mixte (redressement double alternance avec angle de retard à l'amorçage variable). Il ne peut pas s'agir d'un pond tout thyristor, car la tension reste positive. Le pont mixte peut être réalisé en utilisant des diodes avec des thyristors ou transistors ou tous "interrupteur électronique" commandable. - La période de la tension d'alimentation est de 20ms donc f=50 Hz. La période de la tension aux borne de l'induit de la MCC est de 10 ms donc f'=100 Hz. Question 3 : Question 3 : - Savoir

.......................................................................11 3.4.1 Compensation avec des diodes.......................................................................................................12 3.4.2 Compensation avec un transistor....................................................................................................13 Amplificateur d’instrumentation .............................................................................................................

high 1 current might cause the diode to break. 1.1 Droite de charge La droite de charge (”load line”, voir fig.2) donne le point de fonctionnement d’un composant plac´ dans un circuit donn´. Son utilit´ deviendra plus ´vidente avec les transistors, e e e e en attendant, les diodes permettent de bien illustrer le concept. 1. Avec le circuit utilis´ pr´c´demment, produisez la droite de charge du circuit (fig.2 e e e a gauche) avec Vcc en utilisant les lois de Kirchoff et en prenant les

n° 85.42. 5.- Au sens des n°s 85.41 et 85.42, on considère comme : A) Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur, les dispositifs de l'espèce dont le fonctionnement repose sur la variation de la résistivité sous l'influence d'un champ électrique ; B) Circuits intégrés et micro-assemblages électroniques : a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement)

Dispersive ENST Ecole Nationale Supérieure des Télécommunications EM Electromagnétique FET Field Effect Transistor FI (IF) Fréquence Image FoM Figure of Merit (Facteur de Mérite) GPS Global Positioning System HFSS High Frequency Structure Simulator IMD Intermodulation Distorsion InGaAs Indium Gallium Arsenide InP Indium Phosphide JFET Junction Field Effect Transistor KT (ou KTO) Tantalate de Potassium KTN Potassium Tantale Niobium LAO Aluminate de Lanthane LEST Laboratoire

contact de 0,2 Ohm. ● Autosurveillance : Contact Normalement Fermé (NF avec capot en place). Contact calibrés à 28 Vcc, 125 mA maximum, résistance de contact 0,1 Ohm. Connecter uniquement à une alimentation TBT. ● Alarme technique : Sortie transistor à collecteur ouvert, fourni une tension 0 Volt lorsque le détecteur active la sortie d’alarme technique. La capacité maximum est de 125 mA, 0,5 Vcc. A relier à une boucle 24h de la centrale d’alarme. ● Boîtier : ABS 127 * 71 * 56, inferieur sec