Transistor

réalisée. E=5V D1 e1 e2 D2 u réponses E1 0 5 0 5 E2 0 0 5 5 Fonction ET u 0 0 0 5 Exercice 4. Un transistor NPN alimenté sous 15 V est muni d'une résistance de collecteur Rc et d'une résistance de base RB. La tension appliquée à l'entrée est ve = 5V; on a alors VBE = 0,70 V. Déterminer pour Ic = 0,80 A, β = 100, VCE sat = 0,40 V les résistances Rc et RB pour obtenir la saturation du transistor. Réponses : Rc = 18 RB = 540 Exercice 5. L'ADI est supposé idéal. L'alimentation est Vcc = ± 15V

• Amplificateurs – – – – Opérationnel Des petits signaux De puissance Avec contre réaction • Oscillateurs • Générateurs de signaux. 1. Caractéristiques des composants : - Résistance - Capacité - Inductance - Diode - Transistor 2. Régime sinusoïdale forcé 3. Représentation de Fresnel 4. La résonance d’une grandeur électrique 5. Comportement asymptotique d’un montage 6. Les Quadripôles actifs 7. Spectre bilatérale 8. Point de fonctionnement en régime variable 3/30

Scolaire 2011-2012 PLAN I- Le transistor à jonction Représentation conventionnelle et description Fonctionnement Un exemple de montage II- Amplificateur Opérationnel (A.O) Représentation et description Polarisation d’un A.O Fonctionnement d’un A.O Exemple de montage I- Le transistor à jonction 1-Représentation conventionnelle et Description Le transistor à jonction est un composant électrique qui possède 3 bornes ou pattes. Le transistor vient de la contraction de l’expression

: Tension continue fixe Tension continue réglable Ou plus exactement : tension toujours de même signe, de valeur moyenne réglable. 2 Le transistor bipolaire en commutation Le transistor est le composant de base du hacheur. C’est lui qui va faire office d’interrupteur. Voici un bref aperçu de son fonctionnement. 2.1 Caractéristique du transistor associé à une charge résistive. b : base, c : collecteur, e : émetteur La flèche sur le collecteur indique le sens du courant collecteur-émetteur

TD N°1 : transistor bipolaire Exercice 1 ETUDE STATIQUE ∆VB = 0 On choisit VB et RC et RE pour avoir un point de repos VCE0=7.5V 1. Donner l’expression de la droite charge statique Ic = f(VCE) ETUDE DYNAMIQUE ∆VB # 0 1. on fait varier VB de ∆VB pour avoir une variation ∆VBE ±25mV. déterminer graphiquement les 2. variations ∆IB, ∆IC et ∆VCE D’après la caractéristique de transfert 3. IC=β IB déterminer analytiquement les variations ∆IB, ∆IC et ∆VCE pour avoir une variation ∆VBE ±25mV autour de VBE0

DEPARTEMENT DE PHYSIQUE http://www.univ-brest.fr/physique ELECTRONIQUE DE PUISSANCE Alain Fessant 2005 / 2006 TABLE DES MATIERES I. PRESENTATION 1) Introduction 2) Composants d'électronique de puissance 2.1- Diodes 2.2- Transistors de puissance 2.3- Thyristors 3) Rappels sur les régimes transitoires 3.1- Introduction 3.2- Principe d'étude d'un montage 3.3- Valeurs caractéristiques d'une grandeur périodique 3.4- Décomposition en séries de Fourier 3.5- Exemples 3.6- Commentaires 4) Plan

Réalisées initialement avec des diodes, les fonctions logiques sont aujourd'hui synthétisées généralement au moyen de transistors généralement MOS fonctionnant en commutation (sauf cas particulier), afin de limiter la consommation et l'échauffement. Les schémas ci-après donnent un exemple de réalisation simple de fonctions combinatoires de base. Pour plus de généralité le transistor a été représenté par un interrupteur commandé par un signal d'entrée (si ce signal est au NL1 l'interrupteur est fermé

Retour au menu ! Le transistor en commutation 1 – Principe On considère un transistor branché en émetteur commun avec une polarisation par résistance de base RB. Un inverseur (figure 1-a) permet de relier la résistance RB soit au générateur E soit à la masse. Ic E/Rc Rc C E B Rb E E B C E 0 Vs E M Fig. 1 Fig. 2 A Vce E Fig. 3 Les équations des droites d’attaque et de charge (figure 1-b) sont : VBE = E – RB.IB (≈ 0,6 V) ⇒ IB = (E – VBE)/RB

AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL A TRANSISTORS BIPOLAIRES NPN Philippe ROUX © 2005 2 1ère PARTIE : PRESENTATION DU MONTAGE L’amplificateur différentiel (figure1) est un dispositif électronique à deux entrées et deux sorties. Il est alimenté par deux sources d’alimentations de tensions opposées : +VCC et –VEE (le plus souvent VCC = VEE). Ceci pour éviter les circuits de polarisation habituels (entre base et masse) et les condensateurs de liaisons dans les bases des transistors. Aussi, ce montage offre

1. Einführung in das Fachgebiet 1.1 Erfindung des Transistors In den späten vierziger Jahren und als Ergebnis längerer Forschungen wurde in den Bell Laboratories der Transistor (Übergangswiderstand) entwickelt, der die physikalischen Eigenschaften eines Halbleiters nutzt und die Vakuumröhren ersetzte. Diese waren zerbrechlich, nahmen viel Platz in Anspruch und brauchten Aufwärmzeiten eher die Geräte, die sie betrieben funktionierten. Diese Erfindung, für die die Entwickler John Bardeen