Transistor

 Synthèse Pont Interrupteurs de Puissance Pont Redressement Non Commandé: (Diode) Etat Passant Etat Bloqué En résumé, la diode est un interrupteur électronique : - unidirectionnel en courant (un seul sens de conduction)

Cours physique Chap. 04 1ère A.S Akermi Abdelkader la tension électrique I- La tension électrique : 6V La valeur indiquée sur la pile ou la lampe représente une grandeur électrique qui caractérise un dipôle c’est la tension. Définition : La tension est une grandeur qui caractérise un dipôle notée U. Elle s’exprime en volt de V symbole (V), et se mesure à l’aide d’un appareil voltmètre de symbole : Symbole Voltmètre à aiguille Voltmètre numérique V Le voltmètre se branche

Redressement monophasé commandé Objectif Le redressement commandé est la conversion d'une tension alternative en une tension continue de valeur moyenne réglable. |Symbole synoptique : |[pic] | • L’intérêt du redressement commandé et qu’il permette de faire varier la tension moyenne en sortie du pont et donc de faire varier par exemple la vitesse de rotation d’un moteur à

commande. La catégorie des interrupteurs commandables inclut de nombreux types de composants : · Transistors Bipolaires à Jonctions (Bipolar Junction Transistors - BJTs) ; · Transistors à effet de champ Metal-Oxyde-Semiconducteur (MOSFETs) ; · Thyristors commandés à l'ouverture (Gate-Turn-Off Thyristors - GTO Thyristors) ; · Transistors bipolaires à grille isolée (Insulated Gate Bipolar Transistors - IGBTs) ; · Thyristors MOS Commandés (MOS-Controlled Thyristors - MCTs). Les Diodes • La diode

1ère génie électrotechnique année scolaire 2002-2003 TP n°26 : le transistor bipolaire : présentation et réseau de caractéristiques Objectifs du TP : - avoir une notion de l’effet transistor ; - relever le réseau de caractéristique d’un transistor bipolaire ; - déterminer le facteur d’amplification en courant de ce transistor. I Présentation du transistor bipolaire 1.1 Description et symboles Un transistor bipolaire est un composant électronique à trois électrodes, reliées chacune à une région

. . . . . . . . . . . 2.4.1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.1.2 Signaux multipériodiques et apériodiques . . . . . 2.4.2 Fonction de transfert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Du semi-conducteur aux transistors 3.1 Les semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Semi-conducteurs intrinsèques . . . . . . 3.1.1.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.1.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.1.3 Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs

. . . . . . . . . . . . . . 2.4.1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.1.2 Signaux multipériodiques et apériodiques . . . . . 2.4.2 Fonction de transfert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Du semi-conducteur aux transistors 3.1 Les semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Semi-conducteurs intrinsèques . . . . . . 3.1.1.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.1.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.1.3 Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs

temps b - Variation de la chute de tension aux bornes de la diode I - 2 - Transistor bipolaire en commutation : I - 2 - 1 - Etude statique : Soit le montage de la figure 4-a. V CC IC RB Rg B IB RC V CC RC III V g M V BE I MS M0 II IB=I' B0 IB=0 V CE + V BE IB=I BS Rth IB B + - MB V CC - V th - a- - b- - c- Fig. 4 : a - Circuit d'étude b - Caractéristique statique de sortie d'un transistor NPN (avant le claquage de la jonction B-C) c - Circuit équivalent vue de l'entrée

O1MM 2e année Musculation du signal Amplificateurs à transistors bipolaires Claude Chevassu version du 18 février 2012 Table des matières Introduction 0.1 iii Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Polarisation des transistors bipolaires 1.1 iii 1 1 Droites de charge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1.1.3 Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Polarisation par diviseur de tension

PRÉAMBULE PRINCIPE ET CARACTÉRISTIQUES. A. INTRODUCTION À L'EFFET TRANSISTOR. B. LE TRANSISTOR RÉEL. 1. Principe de fonctionnement. 2. Constitution et caractéristiques physiques d'un transistor. 3. Courants de fuite. 4. Symboles, tensions et courants. Transistor NPN Transistor PNP C. CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES. 1. Montages de base. 2. Schéma de mesure des caractéristiques. 3. Caractéristique d'entrée. 4. Caractéristique de transfert. 5. Caractéristique de sortie. 6. Limites d'utilisation