Vallée-Jonction

circuler si la tension appliquée aux bornes de l’élément semiconducteur est suffisamment élevée. La tension inverse permettant la conduction brusque de la diode est appelée tension Zener. Pour obtenir une tension Zener, il faut fortement doper la jonction p-n de la diode de manière à permettre un passage « facile » des électrons de la bande de valence de la zone dopée p à la bande de conduction de la zone dopée n. Les porteurs de charges (des éléments de dopage) ainsi libérés sont assez nombreux pour

ou extrinsèques ...................................................................................... 9 La jonction P-N .............................................................................................................................. 10 Jonction P-N polarisée en inverse ................................................................................................. 11 Jonction P-N polarisée en direct...................................................................................

220 Ohm * Une table d’alimentation * Un transistor bipolaire NPN Rappel théorique : Un transistor bipolaire est un composant à trois pattes (Base, émetteur, collecteur)  , il est composé d’un cristal semi-conducteur comprenant deux jonction PN. Il peut être assimilé a deux diodes « tête-bêche » mais, en pratique, il n peut être remplacés par deux diodes simples. Le transistor est composés de trois régions : Une région N fortement dopée pour l’émetteur E. Une région P faiblement dopée

I. -BUT Les travaux pratiques numéro 1 en électronique “Caractéristiques d’une diode” nous a permit dans le premier temps de voir a travers l’oscilloscope, la caractéristique d’une diode au silicium et celui d’une diode zener et dans un deuxième temps de voir comment varier leurs tensions du en direct comme en inverse lorsqu’on fait varier la tension du GBF. Mais nous tenons a rappelé que ces composantes sont de type non linéaires avec I=Is(e qv/kt - 1). II. BRANCHEMENT EN DIRECT 1) DIODE AU

Les systèmes de jonctions : INTRODUCTION : Dans les organismes pluricellulaire les cellules voisines ont souvent à leur surface des dispositifs qui le maintiennent cote à cote ou qui leur permettent de communiquer entre elles ce sont : LES JONCTIONS INTERCELLULAIRE ce sont des zones spécialisées situées entre les cellules adjacentes ou entre les cellules et la matrice extracellulaire (MEC). Nombreuses dans l’épithélium autres tissus : musculaires, nerveux connectifs………… Souvent non visible

car il va permettre d'amplifier un signal, et de commander des actionneurs requérant de la puissance (haut parleurs moteurs, etc.) avec des signaux de faible niveau issus de capteurs (microphone, sonde de température, de pression,). Le transistor à jonction va permettre de remplir (entre autres) cette fonction en électronique. Son domaine d'action est donc particulièrement vaste A noter qu'avant le transistor, cette fonction était remplie par des tubes à vide (triodes entre autres). L'avènement du transistor

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE DIODES A JONCTION CHAP I - DDIODES A JONCTIONN IDéfinition – symbole Une diode à jonction est une jonction PN munie de deux électrodes sur chaque extrémité. L’électrode du côté P est l’anode (A) et celle du côté N est la cathode (K). Le courant dans la diode ne peut passer que dans un seul sens : de l’anode vers la cathode. Symbole II- Caractéristique courant-tension d’une diode En direct VBR V0 En inverse Pour VD < 0 la diode est dite en polarisation inverse. Le courant

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP TEC Canal N P G : Grille G S Canal N S: Source D : Drain D Symbole : Canal N N G P Substrat N : semi-conducteur de type N Substrat P : semi-conducteur de type P Canal N est conducteur par nature Pour moduler le canal : jonction PN polarisée en inverse. D G P N Canal P D G S S Fonctionnement TECnormal Canal N : TEC Canal P VGS ≤ 0 VGS ≥ 0 VDS ≥ 0 VDS ≤ 0 La source est la référence commune TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP Principe de fonctionnement : G : Grille

TP Diode 3.0 Manipulations - Diodes de redressement 3.1 Diode en série 3.2 Diode en série et condensateur de filtrage Ce signal permet de lisser les variations de tension après redressement pour obtenir une tension proche du continu. 20Hz : photo 1 Tension VS Vpp = 40 V Tension Ve Vpp = 90 V 1 kHz : photo 2 Tension VS Vpp = 24 V Tension Ve Vpp = 9,40 V 20 kHz : Photo 3 Tension VS Vpp = 4,8 V Tension Ve Vpp = 10 V Lorsque la fréquence d'entrée augmente, on s'approche toujours

condensateur retarde la tension (Figure 6). Pour amortir les oscillations induites par le circuit LC, les circuits d’aide à la commutation (CALC ou snubber ) ou adoucisseurs sont insérés (Figure 7). 7 Protection thermique En fonctionnement normal, la jonction PN encoure le risque d’atteindre une température trop élevée (θjmax donnée par le constructeur). Pour palier cet inconvénient, le composant est monté sur un dissipateur thermique ou « radiateur » pour assurer l’évacuation de l’énergie thermique.