Vallée-Jonction

TD d’électronique N° 1 : diodes Corrigé en TD TD d électronique N° 2 Exercice 1 : état des diodes Pour chacun des montages suivant, déterminer l’état de la diode supposée idéale, et calculer la valeur du courant qui la traverse. Les valeurs des résistances sont exprimées en kΩ . Exercice 2 Montage écrêteurOn considère le montage suivant qui utilise une diode supposée parfaite, le générateur ve(t) dont le graphe est donné ci-après fournit une tension triangulaire d’amplitude de 50V et de

LEEA 3emeA, C. TELLIER, 23.08.04 1 Chapitre 2 : Jonction P-N et diodes 1. Description de la jonction P-N 1.1 Phénomènes physiques à l'établissement de la jonction (pas de tension de polarisation, équilibre thermodynamique) • Il existe un gradient de concentration à la jonction les porteurs majoritaires d'une région diffusent vers la région ou ils sont en plus faible concentration au voisinage de la jonction on a apparition d'une: zone de déplétion (pas de porteurs libres) correspond

............................ 4 1) Principe du BJT (bipolar jonction transistor) : L’effet transistor .................................... 4 2) Etude de la structure du transistor NPN .......................................................................... 4 a) Polarisation directe de la jonction Base –Emetteur....................................................... 4 b) polarisation en inverse de la jonction Base-Collecteur .................................................

direction, et band symbol e Schematically, the arrow represents un direction of the current flow. The un courton circuit dans l’autre. Une cathode, an old term taken from vacuum laquelle le courant the diode represents the diode consiste en une jonction p-n, dans tube days. Physically thecircule is amat´riel p vers le current flow predominantly from p to n type material. diode du pn e junction with n. 1. Choose a silicon diode and measure its forward and reverse resistance with the digital

thermoélectronique. Le silicium a apporté les avantages suivants : coût, fiabilité, encombrement, simplicité d'utilisation . 06/03/2014 4 Materiaux de type P et N ECINE 2ème année http://www.ineer.org/Events/ICEE1999/Proceedings/papers/334/334.htm Jonction P-N ECINE 2ème année http://www.ineer.org/Events/ICEE1999/Proceedings/papers/334/334.htm Recombinaison des porteurs ECINE 2ème année http://www.ineer.org/Events/ICEE1999/Proceedings/papers/334/334.htm Zone de déplétion ECINE 2ème année http://www

Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4 Barrière de potentiel . . . . . . . . . . . 3.2.5

2) Etude d’une diode de redressement 1.1) Etude Théorique La diode est un composant passif qui fait partie de la famille des semi-conducteurs, il en constitue d’ailleurs le plus simple élément. La diode se compose d’une jonction PN, Positif Négatif (figure 1) généralement en germanium ou en silicium. La première ne résistant pas à plus de 75°, la seconde à 200° environ, détrône ainsi le germanium plus spécialement employé dans les récepteurs hyperfréquences.

transformateur en impulsions unidirectionnelles du courant. Pour introduire cette notion de redressement il faut tout d’abord introduire la notion de diode parce que tout simplement le redressement s’effectue à l’aide des diodes. La diode est une jonction PN à matériau semi-conducteur qui impose le sens du courant dans la branche où elle est installée. C’est un interrupteur non commandé. On dit alors que la conduction de la diode est unidirectionnelle. Pour caractériser cette dernière il suffit de

capable de se déplacer au sein du cristal est ainsi créé. dopant Cristal initial Cristal dopé Les matériaux semi-conducteurs Décembre 2000 Page 2 / 4 E f f e t P h o t o v o l t aïque Présentation 1.2. Création de la jonction P-N Une jonction P-N résulte de la mise en contact 2 deux cristaux semi-conducteurs, l’un dopé fig 1). Sous l'effet d’un gradient de charge, les électrons excédentaires de la zone N vont avoir tendance à migrer vers la zone P déficitaire en électrons et

Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4 Barrière de potentiel . . . . . . . . . . . 3.2.5 Caractéristique