Vallée-Jonction

Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4 Barrière de potentiel . . . . . . . . . . . 3

nommées le drain (cf. collecteur) et la source (cf. émetteur). Pour un JFET à canal de type N, la grille est de type P. En fonctionnement normal la tension entre le drain et la source est positive (VDS > 0) et celle entre la grille et la source (jonction PN) est négative (VGS < 0). L'augmentation de cette tension inverse fait croître les zones de déplétion (non conductrices) autour du canal jusqu'au pincement de celui-ci. La conduction du canal est donc modulée par la tension VGS. Schémas

diode est équivalente à un interrupteur ouvert. Une diode idéale ne dissipe donc aucune puissance. 1.2 – Diode réelle à semi-conducteur L’anode est la zone P d’une jonction P-N. La zone de type N est la cathode. En polarisation inverse, le courant inverse est très faible mais il croît rapidement avec la température de la jonction. P En polarisation directe, au-delà de la tension de seuil (VS ≈ 0,6 V U pour le silicium), la diode est conductrice. On peut définir en chaque U seuil point P de la caractéristique

: I - 1 - Diode en commutation : I - 1 - 1 - Etude statique : Une diode à jonction PN possède une caractéristique statique donnée sur la figure 1-a. Soit ID le courant qui traverse la jonction et VD la tension anode - cathode aux bornes de la diode (figure 1-b). ID (mA ) II I ID A node Cathode 0 VD V D0 - aVD - b- Fig. 1 : a- Caractéristique statique d'une diode à jonction b- Symbole d'une diode à jonction La caractéristique statique ID = f(VD) présente deux zones de fonctionnement

ou extrinsèques ...................................................................................... 9 La jonction P-N .............................................................................................................................. 10 Jonction P-N polarisée en inverse ................................................................................................. 11 Jonction P-N polarisée en direct...................................................................................

Chapitre 2 Les principaux composants et fonctions électroniques ZAÏBI.G 1 Chapitre 2 Les principaux composants et fonctions électroniques I – LES DIODES I – 1 – Physique des composants La diode à jonction est un composant électronique constitué essentiellement d’une jonction P-N qui est la zone très mince d’un monocristal semi-conducteur dans laquelle la conduction passe du type P au type N. ZAÏBI.G 2 I – 1 – Physique des composants I – 1 – 1 – Les semi-conducteurs a

Enoncés È Exercice 9.1 |α| = IC /IE = 99,5/100 = 0,995. β = α/(1 – α) = IC/IB ≈ 200 Exercice 9.2 Le circuit d’entrée donne : IB = (VBM – VBE)/RB = 9,3/(47.103) = 0,2 mA. Le circuit de sortie donne : VCE = VCC – RC.IC = 10 – RC.β.IB = 10 – 5.β ; Tout transistor ainsi alimenté est saturé (VCE ≈ 0 ; IC < β.IB). Exercice 9.3 Le circuit d’entrée donne : IB = (VBM – VBE)/RB = 4,3/(4,7.103) = 0,915 mA. Le circuit de sortie donne : VCE = VCC – RC.IC = 5 – 0,43.β ; Tout transistor ayant un

DIODES SPÉCIALES. DIODES ZENER. Préréquis: Cours sur la diode Durée : 4 périodes But : (a) Etude de la caractérisique d’une diode Zener; (b) Tracer le schéma équivalent d’une diode Zener; © Etude de stabilisation de tension. Caractéristique. Nous avons déjà parlé de l'effet zéner. Il concerne la caractéristique inverse de la diode. En direct, une diode zéner se comporte comme une mauvaise diode normale. En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet zéner et / ou d'avalanche

Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3.1.3.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.3.2 Définition . . . . . . . . . . . 3.1.3.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Description . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Définitions . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4 Barrière de potentiel . . . . . . . . . . . 3

matériau au lieu de se recombiner simplement en son sein : ainsi, il apparaîtra une différence de potentiel et donc une tension entre les deux faces, comme dans une pile. Pour cela, on s'arrange pour créer un champ électrique permanent au moyen d'une jonction PN, entre deux couches dopées respectivement P et N : Structure d'une cellule photovoltaïque * La couche supérieure de la cellule est composée de silicium dopé N[2]. Dans cette couche, il existe une quantité d'électrons libres supérieure à