Sommaire

1- Etude théorique

2- Dossier de fabrication

- Schéma structurel réalisé par PCAD
- Bon de Commande Informatisé (chiffré)
- Typon complet sur calque
- Schéma d'implantation sur papier

3- Rédaction de la procédure de test détaillée

- Rédaction de la procédure de test détaillée (fonction par fonction) avant d'avoir la carte fabriquée

4- Compte-Rendu des essais

- Relevés
- Analyse des Relevés

5- Simulation

- Relevés
- Analyse des Relevés

1-Etude Théorique

I.2)Etude de FP1

a) Va=Rx/(R1+Rx)* VCC

b) Va(R1+R2)=Rx*VCC VaR1+VaRx=Rx*VCC VaR1=Rx*VCC-VaRx R1=(Rx(Vcc-Va))/Va

c) R1=(1.10^3(10-5))/5 R1=1.10^3Ω=1kΩ

d) R1=1kΩ ; 1/4W ; P=U²/R= 25mW

e) Va1=900/(900+1000)*10= 4,73V

f) Va2= 1100/(1100+1000)*10=5,23V

I.3)Etude de FP2

a) Le fonctionnement d'un amplificateur intégré linéaire est le suivant: des transistors amplifient.

b) V1=(R3+R4)/(R2+R3+R4)*VCC

c) V1 (R2+R3+R4)=(R3+R4)*VCC
V1R2+V1R3+V1R4=R3VCC+R4VCC
V1R2+V1R3=R3VCC+R4VCC-R4V1 V1R3=R3VCC+R4(VCC-R4V1)-V1R2
V1R3-R3VCC=R4(VCC-V1)
R3=(R4(VCC-V1)-V1R2)/(V1-VCC)
R3= (12.10^3(10-5.24)-5,24*12*10^3)
R3=1,21*1.10^3=1.21kΩ

e) R3=1.2kΩ ; P=U²/R= 5.24²/1200=22.9mW

f) V2=R4/(R2+R3+R4)*VCC

g) V2=12.10^3/(12.10^3+1.1O^3+12.10^3)*10
V2= 4.76V

j) La fenêtre est l'espace entre V1 et V2.

I.4) Etude de FP3.

a) Vd=Vb*Vc+Vb*Vc
Vd=Vb

Vf=Vb*Vc+Vb*Vc
Vf=Vc

Ve=Vb*Vc=Vb+Vc

b) Vd=

I.5) Etude de FP4

a)

b)

c) Ic=(VCC-VLED-VCC)/R9=(10-1.8-0.2)/390=20mA
Ib=(Ve-Vcc)/R6s=(10-0.7)/(1.5*10^3)=6.2mA

2- Dossier de fabrication
Valeur
Repère
Désignation
Nombre
Prix à l'unité
1KΩ
R1
Résistance
1
0,01
12KΩ
R2
Résistance
1
0,01
1,2KΩ
R3
Résistance
1
0,01
12KΩ
R4
Résistance
1
0,01
1,5KΩ
R5
Résistance
1
0,01
1,5KΩ
R6
Résistance
1
0,01
1,5KΩ
R7
Résistance
1
0,01
390Ω
R8
Résistance
1
0,01
390Ω
R9
Résistance
1
0,01
390Ω
R10
Résistance
1
0,01