Ultrason

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  • Publié le : 25 décembre 2011
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Photorésistance

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Certains semi-conducteurs comme CdS, SeCd, PbD, SbIn, SbAs ... ont une résistance qui varie avec l'éclairement. Les photons incidents augmentent lenombre des porteurs libres et diminuent la résistance. L'efficacité est fonction de la longueur d'onde de la lumière. Pour CdS, la courbe de sensibilité est voisine de celle del'oeil humain.
Pour les éclairements faibles (1 lux) à forts (1000 lux) la variation de résistance avec l'éclairement est représenté correctement par une loi du type R (L) = R0.L-k.Montrer que la courbe correspondante est une droite en coordonnées Log-Log.
Pour les éclairements très faibles la résistance réelle est beaucoup plus faible que celle donnéepar cette loi.
Propriétes.
Avantages : Capteur sensible, de faible coût, facile à mettre en oeuvre.
Inconvénients : Non linéaire. La vitesse de variation de R avecl'éclairement est faible et non symétrique. (Temps de montée de l'ordre de 35 ms et temps de descente de l'ordre de 10 ms).
Applications :
Déclenchement automatique d'éclairage, détecteurde présence, relais optique ... 

Utilisation : Le programme affiche soit :
* La courbe de variation de la résistance avec l'éclairement L. Agir sur l'ascenseur bleupour déplacer le curseur et choisir une valeur de L. Le programme affiche R en fonction de la valeur de L choisie.
Déterminer les valeurs de R0 et de la constante k.
* Unexemple d'utilisation d'une photorésistance (Vérification de la loi de Malus).
Entre une source monochromatique et une photorésistance, on interpose un polariseur fixe et unanalyseur mobile. Agir sur l'ascenseur cyan pour faire tourner l'analyseur.

 
Photorésistance de type CdS
 
La résistance est constituée par le serpentin de couleur grise.
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