Asservir Diode

4. CAPACITE DE TRANSITION 2 SEMICONDUCTEURS ET DIODES Dans cette partie, on présente sans l'approfondir une introduction aux semi-conducteurs et à la jonction PN. Ce qui importe ici est de se familiariser avec le modèle exponentiel de la diode et ses diverses simplifications dans des montages très classiques. 1.SEMICONDUCTEURS 1.1. 1.2. Description: 1.3. Description: semiconducteur 1.4. Description: semiconducteur 1.5. Commentaires semiconducteur extrinsèque extrinsèque

Cours d ’électronique analogique – La jonction PN à l ’équilibre – La jonction PN polarisée • Polarisation directe • Polarisation indirecte • Tension de rupture 5 CONTENU (4) • Capacités de la jonction PN – Les approximations de la diode – Utilisation des diodes • Redressement – Mono-alternance – Bi-alternance • Filtrage • Autres applications – Les réseaux de caractéristiques du transistor bipolaire – Le transistor idéal ! – Principe de l ’amplification par transistor

LA RESISTANCE 2.3.2 IMPEDANCE DE L’INDUCTANCE 2.3.3 IMPEDANCE DU CONDENSATEUR 2.4 NOTION DE FONCTION DE TRANSFERT 2.5 REPRESENTATION DE BODE 10 10 10 11 11 11 12 12 12 12 13 3 LA DIODE 15 PRINCIPE 3.2 CARACTERISTIQUES 3.3 DIODES PARTICULIERES 3.3.1 DIODE SCHOTTKY 3.3.2 DIODE ZENER 15 15 16 16 17 4 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE 18 3.1 4.1 PRINCIPE 18 4.2 REGIME DE FONCTIONNEMENT 4.3 CARACTERISTIQUES 4.4 MODELE AUX PETITS SIGNAUX 18 19 20

Pmax 2.2.2) Redressement : la diode: C'est un composant qui laisse passer le courant dans un sens et pas dans l'autre. DIODE PASSANTE DIODE BLOQUEE I=0 U U U Fig. 5 La diode est passante : elle est équivalente à un conducteur de résistance négligeable. La diode est bloquée, elle est équivalente à un interrupteur ouvert. La diode est principalement caractérisée par le courant à fournir à la charge et la tension inverse de crête appliquée à la diode pendant la période de non-conduction

de fabrication (Technologie planaire ou planar) Le passage du type P au type N peut être : • abrupt (passage brutal) • progressif mais restant limité à une très faible épaisseur. LEEA 3emeA, C. TELLIER, 23.08.04 1.3. Polarisation de la diode, description phénoménologique • • • • • • • • Polarisation directe (d.d.p. Va) Région N est à un potentiel -Va par rapport à la région P d'ou le diagramme de bande ci-dessous La barrière de potentiel pour les porteurs majoritaires est

totale de l'USB. b)Analyse fonctionnelle interne Diagramme FAST : 2)Présentation du système Le système proposé est constitué de : 1 port USB 3 condensateurs 6 diodes ( 4 de redressement, 1 de protection et 1 diode électroluminescente) 1 inductance 8 résistances 1 régulateur 3)Explication Nous avons donc comme source d'énergie une dynamo-moyeu. Cependant, nous sommes confrontés à un problème de taille : l'alternateur fournit une tension alternative

température ambiante par le biais d’un thermocouple. Comme vu précédemment, le montage électrique de la manipulation est constitué de deux circuits indépendants : le circuit de résistance qui nous a permis de produire le flux de chaleur et le circuit de diode qui nous a permis de connaitre la température interne. On place un voltmètre dans le circuit de résistances afin de pouvoir contrôler la puissance produite. Nous procédons de même aux bornes du circuit de diodes afin de relever leurs tensions. Ainsi

dopé 6 1.2. La jonction PN 7 1.3. La diode à jonction 8 1.3.1. Courant inverse de la diode 9 1.3.2. Courant direct de la diode 10 1.4. Caractéristique de la diode à jonction 10 1.4.1. Tracé 10 1.4.2. Résistance de la diode 12 1.5. Redressement 15 1.5.1. Redressement une alternance 15 1.5.2. Redressement deux alternances 16 1.5.3. Facteur de forme et Taux d’ondulation 22 1.5.4. Filtrage 23 1.6. Diode Zener 26 1.6.1. Définitions 26 1

deuxième année du département 3i Janvier 2007 Table des matières 1 Modèle mathématique du transistor bipolaire 1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 Modèle mathématique de la diode . . . . . . . . . . 1.2.1 Diode en régime statique . . . . . . . . . . . 1.2.2 Diode en régime dynamique . . . . . . . . . 1.2.3 Modèle complet . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.4 Influence de la température . . . . . . . . . 1.3 Modèle du transistor bipolaire . . . . . . . . . . .

SEMICONDUCTRICES 72 9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 9.6 9.7 9.8 9.9 9.10 72 72 73 74 75 76 76 77 78 78 Conducteurs, semiconducteurs, isolants Semiconducteurs dopés N et P Jonction PN Diode jonction Diode Zener Diode à capacité variable Diode à pointe, diode Schottky Diode PIN Diode tunnel Diode Gunn CHAPITRE 10 • TRANSISTORS BIPOLAIRES ET À EFFET DE CHAMP 79 10.1 Transistors bipolaires NPN et PNP 10.2 Transistors à jonction à effet de champ, TEC ou JFET 10.3 Transistors à