Collecteur tournant

Explication de la résistance du pull down. L'utilisation des résistances de pull-down se fait généralement après l'utilisation d'un interrupteur. En effet, contrairement au cas théorique, ouvrir un circuit (via un interrupteur) ne force pas son état à 0. Une résistance de Pull-down permet de forcer l'état d'un circuit à la masse (niveau logique 0). Cela permet d'éviter les niveaux indéterminés. En d’autres termes, le but d'une résistance de pull-down est de forcer le niveau du circuit ouvert

.................................................................................................. 33 IV.6.3 Impédance de sortie.................................................................................................... 33 IV.7 Montage collecteur commun (CC)................................................................................ 33 IV.7.1 Gain en tension.............................................................................................................. 33 IV.7.2 Impédance

transistor bipolaire Paramètres hybrides h21 = ic ib = v ce =0 ∆IC ∆I B Vce =Vce0 IC IC0 h21 On remarque graphiquement, que h21 et βF sont deux pentes proches. βF est le gain en courant statique, alors que traduit les variations du courant collecteur avec celles du courant base. En pratique, on confond ces deux grandeurs et on ne parle que d’un seul bêta pour le transistor : βF IB IB0 β = βF = h21. 18/10/2004 10 Amplificateurs à base de transistor bipolaire Rg ig c I + i

vu la base du transistor montrer que la base du transistor est bien polarisé en tension 1 Exercice 3 ! EFFETS DE LA TEMPÉRATURE SUR LES TRANSISTORS La température modifie simultanément ∆Vbe = −2.5mV OC −1 ∆T ∆Icbo - La jonction bloquée base collecteur = 50nAO C −1 ∆T ∆β - Le gain en courant = 0.6%O C −1 β ∆T 1. On rappelle : Ic = βIb + (β + 1)ICbo Montrer que variation ∆Ic du courant Ic en fonction ∆Vbe, ) ∆Icbo et ∆β engendrés(par la variation de température peut être sous forme : 2. ΛIc = SVbe

courant de ce transistor. I Présentation du transistor bipolaire 1.1 Description et symboles Un transistor bipolaire est un composant électronique à trois électrodes, reliées chacune à une région précise d’un petit bloc de silicium : la base, le collecteur et l’émetteur. Il existe deux sortes de transistors bipolaires : les transistors NPN et les transistors PNP. 1.2 Vidéo : l’Effet transistor Regardez attentivement la vidéo « Effet transistor », et répondez aux questions suivantes : 1 – Quels

Montages fondamentaux du transistor bipolaire . . . . . . . . . . 41 3.2.1 Attaque par la base et attaque par l’émetteur . . . . . . . 41 3.2.2 Montage émetteur commun . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 3.2.3 Montage collecteur commun . . . . . . . . . . . . . . . . . 47 3.2.4 Montage base commune . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 3.3 Résumé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53 3.4 Présentation graphique de

est transformé en rotation par l’intermédiaire d’une bielle, qui relie le piston au vilebrequin. Chaque cylindre est fermé par une culasse munie d'au moins deux soupapes. L'une d'elle permet l'alimentation en mélange air-essence du cylindre par le collecteur d'admission (aussi appelé répartiteur, il permet de répartir l’air arrivant dans le moteur sur les différents cylindres), et l'autre, l'évacuation des gaz brulés vers l'échappement. Le mouvement des soupapes est commandé par l’arbre à cames. Le

.......................................................................................7 Amplificateur à montage émetteur commun ......................................................................................... 7 Amplificateur à montage collecteur commun ..................................................................................... 17 AMPLIFICATEUR DE CLASSE B ET AB..................................................................................................................19 Amplificateur

fonctionnement de sortie appartenant à la droite de charge est l'intersection de cette droite avec la caractéristique tracée pour IB=0 : le point MB (jonction B-E est polarisée en inverse ). La tension de sortie prend une valeur voisine de VCC et le courant collecteur est égale au courant de fuite ICE0 (de l'ordre de quelques dizaines de µA). La puissance dissipée dans le transistor est : PB = VCC . ICE0 . NOTE : Dans un transistor bloqué, les deux jonctions B-E et B-C sont polarisées en inverse, le transistor

TRANSISTOR BIPOLAIRE I – Introduction I.1 – Constitution n Le  transistor  bipolaire  est  réalisé  dans  un  monocristal  comportant  trois  zones  de  dopage différentes. n p p n C ⇔ collecteur base émetteur p n p On reconnaît deux jonctions PN  que  l'on  peut  considérer  comme  deux diodes lorsque le transistor  n'est pas polarisé. B n E Pour polariser correctement un transistor, il faut que : la jonction entre B et E soit polarisée dans le sens direct