TD N°1 : transistor bipolaire
Exercice 1

ETUDE STATIQUE ∆VB = 0
On choisit VB et RC et RE pour avoir un point de repos VCE0=7.5V
1. Donner l’expression de la droite charge statique Ic = f(VCE)
ETUDE DYNAMIQUE ∆VB # 0
1. on fait varier VB de ∆VB pour avoir une variation ∆VBE ±25mV. déterminer graphiquement les
2.
variations ∆IB, ∆IC et ∆VCE
D’après la caractéristique de transfert
3.
IC=β IB déterminer analytiquement les variations ∆IB, ∆IC et ∆VCE pour avoir une variation ∆VBE ±25mV autour de
VBE0
4. tracer la droite de charge dynamique
∆IC =f ( ∆VCE)
5. déterminer ∆VCE en fonction de ∆VB et déduire le schéma électrique équivalent pour les petites variations de la tension d’entrée Exrcice 2
A- polarisation en courant
-

-

calculer Rb trouver le générateur Thévenin équivalent vu la base du transistor et déduire le générateur
Norton
montrer que la base du transistor est bien polarisé en courant ?

B- polarisation en tension
-

on choisissant Ip = 20mA calculer de polarisation R1 et R2 trouver le générateur Thevenin équivalent vu la base du transistor montrer que la base du transistor est bien polarisé en tension

1

Exercice 3 ! EFFETS DE LA TEMPÉRATURE SUR LES TRANSISTORS
La température modifie simultanément

∆Vbe
= −2.5mV OC −1
∆T
∆Icbo
- La jonction bloquée base collecteur
= 50nAO C −1
∆T
∆β
- Le gain en courant
= 0.6%O C −1 β ∆T
1. On rappelle : Ic = βIb + (β + 1)ICbo Montrer que variation ∆Ic du courant Ic en fonction ∆Vbe,
)
∆Icbo et ∆β engendrés(par la variation de température peut être sous forme :
2. ΛIc = SVbe ∆ Vbe + S β ∆β + S Icbo ∆I Cbo
3. Déterminer les expressions des coefficients de stabilisation et monter qu’elles sont : β SVbe == −
Rth + (β + 1) Re
(Rth + Re ) (β + 1) car ICb0 << (Eth − Vbe )
4. S ICbo =
Rth + Re
Rth + (β + 1) Re
(Rth + Re )
S β ≅ (Eth − Vbe )
Rth + (β + 1) Re
5. la température du transistors évolue de 25°C à 125°C déterminer la variation du courant ∆Ic des deux types de polarisations étudiées précédemment et comparer
6. refaire