Gallium

obtenir de l’infrarouge, le matériau adapté est l’arséniure de gallium (GaAs) avec comme dopant du silicium (Si) ou du zinc (Zn). Les fabricants proposent de nombreux types de diodes aux spécificités différentes. On peut citer le type le plus répandu : les diodes à l’arséniure de gallium, ce sont les plus économiques et ont un usage général. Bien qu’elles nécessitent une tension directe plus élevée, les diodes à l’arséniure de gallium-aluminium (AlGaAs) offrent une plus grande puissance de sortie

1200nm. Et ces valeurs correspondent majoritairement aux plages d’absorption du silicium et de l’arséniure de gallium comme nous pouvons le remarquer dans le document 3. Cela expliquerait alors pourquoi dans le document 5, les rendements de la conversion de l’énergie solaire en énergie électrique est très importante et à peu près équivalente entre le silicium et l’arséniure de gallium. Les deux ont à peu près la même courbe d’absorption des rayons solaires.Ainsi, l’absorption des semi conducteurs

électromagnétique est couplé au mouvement du fluide par des effets d’induction. Nous avons étudié différents effets magnétohydrodynamiques, à partir de deux expériences impliquant un métal liquide en écoulement turbulent.La première de taille moyenne utilise du Gallium. La seconde, utilisant du sodium, est menée au sein de la collaboration VKS (Von Karman Sodium). Celle-ci a permis d’observer l’effet dynamo, à savoir la conversion d’une part de l’énergie cinétique du fluide en énergie magnétique. Nous avons montré

Masse atomique Symbole Élément 69.72 Ga Étymologie Découverte Gallium Du latin gallus qui signifie « coq ». Découvert en 1875, en France, par Lecoq de Boisbaudran. Le gallium est très utilisé sous forme d’arséniure de gallium comme semiconducteur dans les diodes électroluminescentes. De nombreux composants électroniques, comme les puces que l’on trouve dans cet ordinateur, contiennent du gallium. Propriétés Physico-chimiques Métal bleu-gris. Entités chimiques -

périphérique ou d'une sous couche électronique bénéficient d'une stabilité relative. La réaction Metal → Metal + + e − est plus facile si la structure électronique de (Métal+) est dans ce cas. Ainsi, pour le zinc et le gallium, on a les potentiels d'ionisation respectivement de 9eV et 6eV. Le gallium a pour configuration électronique … 4s2, 4p1 ; l'arrachement d'un électron conduit à Ga+ = …4s2 , 4p0 avec libération de la sous couche p ce qui correspond à une stabilité particulière. Pour le zinc (… 4s2) l'arrachement

Laser : Généralités : -Laser faible puissance (rééducation) =/ Laser puissant médicaux -Lumière = intense digérée et monochroma et est cohérente -/= (632-904 nm) -Gaz He-Ne : (632 nm) P2-3 mW -Arsenide gallium (904 nm) -Arsenide Al-Gallium (830 nm) P 400 mW Indications: -Contusions -Déchirures musculaires. - Entorses pas trop profondes (LLE oui – LC non) -Escarres -Pathologies fraiches et superficielles en général (ex : traumato) -Pubalgies -Synovites

corporelle Se fait au niveau de certaines cavités : - Rectum (rectale) - Bouche (buccale) - Oreille (tympanique) Se fait à proximité d’importants vaisseaux - Aisselles ( axillaire) - Pli de l’aine (inguinale) La voie rectale - thermomètre au gallium ( 1 minute) - digital ou électronique ( affichage instantané) - Voie la plus utilisée en France - Reflète assez fidèlement la Température centrale - Dépend de la profondeur d’introduction,( 2 à 3 cm), du débit sanguin local et de la présence

Tension de seuil (V) | Semi-conducteur utilisé | Rouge | 610 < λ < 760 | 1,63 < ΔV < 2,03 | - arseniure de gallium-aluminium (AlGaAs) - phospho-arséiure de gallium (GaAsP) | Orange | 590 < λ < 610 | 2,03 < ΔV < 2,10 | phospho-arséniure de gallium (GaAsP) | Vert | 500 < λ < 570 | 2,18 < ΔV < 2,48 | - nitrure de gallium (GaN) - phosphure de gallium (GaP) | 10- SCHEMA DE L’ALIMENTATION DU SYSTEME 10- 1) SCHEMA +12v 7805 GND Vo V1 +5V

differences in skin tissue, a terahertz radiation devise could detect skin cancers before they are visible. To get to their conclusions, the Nottingham team used a crystal composed of alternating layers of two semiconductors such as gallium arsenide and aluminum gallium arsenide. When a strong high-frequency sound wave hits the crystal, it generates a compression wave that propagates through the crystal and traps the semiconductor’s free electrons in the wave-troughs. Yet, when the sound wave’s amplitude

cellules de Grätzel 25 3. La conversion photovoltaïque sous concentration 26 III. Les nouveaux matériaux 29 1. Les cellules de seconde génération 29 a. Matériaux à base de tellure de cadmium 29 b. Matériaux à base de cuivre, de l’indium, du gallium et du sélénium 30 2. Une nouvelle approche des cellules photovoltaïques : les cellules 3D 31 a. Principe 31 b. Les limites de cette technologie 32 c. Perspectives industrielles 32 3. Les cellules de troisième génération 33 a. Les