Gallium

photovoltaïques contiennent plusieurs métaux rares, dont le recyclage devrait être largement développé : -l'argent (Ag) : dans les capteurs de technologie silicium cristallin ; -l'indium (In) : dans les technologies silicium amorphe, CIS, CIGS ; -le gallium (Ga) : dans les technologies CIGS, cellules à haut rendement ; -le germanium (Ge) : dans les technologies silicium amorphe, cellules à haut rendement. Dans l'Union européenne, depuis le 13 août 2012, tout panneau solaire photovoltaïque en fin de vie

............. 18 Le béryllium (Be) .......................................................................................... 26 Le cobalt (Co) ............................................................................................... 35 Le gallium (Ga) ............................................................................................. 43 Le germanium (Ge)....................................................................................... 49 L’indium (In).......................

Potassium (Z = 19) : (K)2(L)8(M)8(N)1 Calcium (Z = 20) : (K)2(L)8(M)8(N)2 Scandium (Z = 21) : (K)2(L)8(M)9(N)2 Titane (Z = 22) : (K)2(L)8(M)10(N)2 Cobalt (Z = 27) : (K)2(L)8(M)15(N)2 Cuivre (Z = 29) : (K)2(L)8(M)18(N)1 Zinc (Z = 30) : (K)2(L)8(M)18(N)2 Gallium (Z = 31) : (K)2(L)8(M)18(N)3 Z étant le nombre de neutrons voir II-A- II-Le tableau de Mendeleïev ou tableau périodique des éléments A-Composition du noyau Le noyau d’un atome est composé de nucléons : neutrons + protons. Chaque atome a une représentation

plupart des acides (sauf l'acide nitrique). Le germanium est obtenu à partir du raffinage du cuivre, du zinc et du plomb. Le germanium est souvent utilisé dans les semi-conducteurs. Les alliages avec de petites quantités de phosphore, d'arsenic, de gallium et d'antimoine constituent de bons semi-conducteurs. Un dopant : dans le domaine des semi-conducteurs, est une impureté ajoutée en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité. le dopage de type N, qui consiste

diameter @ 80 cm: 6 cm Voici les courbes de réponses en fonction de la distance de l’objet: Voici la courbe que nous avons relevée: Phototransistor fourche optique H21A DESCRIPTION Le H21A1, H21A2 et H21A3 se composent d'un arséniure de gallium diode émettrice infrarouge couplée à un phototransistor de silicium dans un boîtier en plastique. Le système d'emballage est conçu pour optimiser la résolution mécanique, l'efficacité du couplage, de rejet de lumière ambiante, le coût et la fiabilité

FLUOR NÉON 26.982 14 28.086 15 30.974 16 32.065 17 35.453 18 39.948 Al Si P S Cl Ar ALUMINIUM SILICIUM PHOSPHORE SOUFRE CHLORE ARGON 31 69.723 32 72.64 Ga Ge GALLIUM GERMANIUM 49 114.82 In Sn INDIUM 81 204.38 118.71 50 ETAIN 207.2 82 74.922 33 78.96 34 As ARSENIC 121.76 51 SÉLÉNIUM ANTIMOINE 208.98 127.60 BROME 126.90 53 Te

31,0 16 32,1 17 35,5 18 39,9 Al Si P S Cl Ar Aluminium Silicium Phosphore Soufre Chlore Argon 31 69,7 32 72,6 33 74,9 34 79,0 35 79,9 36 83,8 Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr Arsenic Sélénium Brome Krypton 47 107,9 Gallium Zinc 48 112,4 49 114,8 Germanium 50 118,7 51 121,8 52 127,6 53 126,9 54 131,3 Sn Sb Te I Xe Cadmium Indium Étain Antimoine Tellure Iode Xénon Rhodium 76 190,2 77 192,2 78 195,1 Pt Osmium Iridium Platine Rhénium

les mesures du rayon des atomes ou leur énergie de première ionisation. Mendeleïev avait parfois laissé des cases vides dans son tableau, remarquant qu’ainsi la périodicité se trouvait mieux vérifiée. La découverte de nouveaux éléments (comme le Gallium) a comblé ces cases. Mendeleïev n’avait pas prévu l’existence des gaz rares, mais le rajout d’une colonne n’a pas bouleversé le tableau. 2) Classification actuelle Les éléments sont désormais classés par numéro atomique croissant, ce qui a corrigé

OXYGÈNE FLUOR NÉON 26.982 14 28.086 15 30.974 16 32.065 17 35.453 18 39.948 Al Si P S Cl Ar SILICIUM PHOSPHORE SOUFRE CHLORE ARGON 69.723 31 32 72.64 Ga Ge GALLIUM GERMANIUM 49 114.82 In 50 204.38 Tl THALLIUM (285) 118.71 Sn INDIUM 81 ETAIN 82 207.2 33 74.922 As ARSENIC 51 121.76 Sb ANTIMOINE 83 208.98 34 78.96 Se SÉLÉNIUM 52

électrons périphériques (Phosphore P, Arsenic As ), le semi-conducteur possède alors un excès d’électrons et devient de type p.On parle de dopage N (Négatif). Dans le cas où on ajoute un élément possédant seulement 3 électrons périphériques (Aluminium,Gallium). Le semi-conducteur possède un excès de trous et devient de type P (Positif). La notion de l’électron libre et du trou : La conduction dans un semi-conducteur est réalisé par les électrons qui se situent dans la bande de conduction mais aussi