Germanium

Instrumentation Spectromètre à transformée de Fourier Etude simultanée de toutes les longueurs d’onde → remplacement du monochromateur par un interféromètre de Michelson Le rayon (issu de S) frappe une séparatrice (Se) semi-transparente (film de germanium entre 2 plaques de KBr) → génération de 2 faisceaux identiques et orthogonaux Les faisceaux sont réfléchis par un miroir fixe (Mf) et un mobile (Mm) Le 2 faisceaux, recombinés sur le même trajet, traverse l’échantillon puis frappe le détecteur

sable Intensité lumineuse quelques centièmes. On peut obtenir ces petites valeurs de différences en ajoutant des éléments à la silice, selon un procédé appelé « dopage ». Il existe plusieurs éléments dopants. Les plus utilisés actuellement sont le germanium (Ge), l’aluminium (Al), le phosphore (P) et le fluor (F). L’indice de réfraction évolue avec la concentration molaire en dopant. La fabrication se fait en deux étapes : la fabrication d’une préforme par dopage de la silice puis son étirage sous la

922 34 78.96 35 79.904 36 83.80 4 37 K POTASSIUM Ca CALCIUM Sc SCANDIUM Ti TITANE V VANADIUM Cr Mn CHROME MANGANÈSE Fe FER Co COBALT Ni NICKEL Cu CUIVRE Zn ZINC Ga GALLIUM Ge GERMANIUM As ARSENIC Se SÉLÉNIUM Br BROME Kr KRYPTON 85.468 38 87.62 39 88.906 40 91.224 41 92.906 42 95.94 43 (98) 44 101.07 45 102.91 46 106.42 47 107.87 48 112.41 49

IIB (280) Rg 65.38 Zn ZINC CUIVRE 47 PLATINE 110 IB 12 30 63.546 48 112.41 Si P S Cl Ar ALUMINIUM SILICIUM PHOSPHORE SOUFRE CHLORE ARGON CADMIUM 200.59 Ge GALLIUM GERMANIUM MERCURE (285) Cn MEITNERIUM DARMSTADTIUM ROENTGENIUM COPERNICIUM 114.82 49 In 204.38 Tl THALLIUM 113 (. . .) 118.71 50 Sn INDIUM 81 Hg 112 72.64 32 Ga Cd 80 69.723 31 ETAIN

26.982 14 28.086 15 30.974 16 32.065 17 35.453 18 39.948 Al Si P S Cl Ar ALUMINIUM SILICIUM PHOSPHORE SOUFRE CHLORE ARGON 69.723 31 72.64 32 Ga Ge GALLIUM GERMANIUM 114.82 49 In 204.38 Tl THALLIUM 113 (. . .) 118.71 50 Sn INDIUM 81 Hg 112 VIIA 15.999 B Cd 80 VIA 17 9 14.007 HÉLIUM BORE 13 Zn CUIVRE 47 PLATINE 110 IB 12 30

soustrait systématiquement 0,7 Volts de la tension UBE est que les transistors bipolaires actuels contiennent une diode "parasite". La tension soustraite dépend du type de semiconducteur utilisé : 0,7 Volts pour le silicium, et 0,2 Volts pour le germanium. Exemple pratique Prenons le cas d'une bascule monostable:     L'étude de cette bascule nous permettra de bien comprendre l'action de chaque composant passif (R et C) et actifs (transistor etc.).Un monostable est un dispositif susceptible de

|Aluminium |Silicium |Phosphore |Soufre |Chlore |Argon | | |[pic] |[pic] |[pic] |[pic] |[pic] |[pic] |[pic] |[pic] | | |K |Z = 19 |Ca |Z = 20 |Ga |Z = 31 |Ge |Z = 32 |As |Z = 33 |Se |Z = 34 |Br |Z = 35 |Kr |Z = 36 | | |Potassium |Calcium |Gallium |Germanium |Arsenic |Sélenium |Brome |Krypton | | | | | | | | | | | | ----------------------- 2de Chimie Thème II – Constitution de la matière TP 10 – Classification périodique des éléments

moins énergétiques). Cette technologie permet d'optimiser l'absorption du flux solaire par la cellule, et ainsi d'accroître son rendement de conversion de manière significative. Ces cellules sont constituées de Gallium, d'Arséniure de gallium et de Germanium. Le procédé de fabrication multicouche employé ici reprend tout simplement la technique de fabrication des circuits intégrés et des microprocesseurs maîtrisée et optimisée depuis longtemps par ailleurs. À cause de son prix de revient élevé, ce type

en fonction de facteurs Un matériau semi conducteur est un matériau à l'état solide ou liquide, qui conduit l'électricité à température ambiante, mais moins aisément qu'un métal conducteur. Exemples de semi conducteurs: Silicium Germanium Arséniure de gallium 2.Le dopage et la jonction P.N. Il peut être illustré par l'exemple suivant, qui présente le cas d'une cellule au silicium : La couche supérieure de la cellule est composée de silicium dopé par un élément de valence

818 118.710 121.760 4+ 1.6 5+ 1.8 6+ 1.9 7+ 2.2 Vanadium Chromium Manganese 3+ 1.5 2+ 2+ 1.8 3+ Iron 2+ 1.8 3+ Cobalt 2+ 3+ 1.8 2+ 1.9 Nickel Copper 2+ 1.6 1+ 2+ 1.6 3+ 1.6 4+ 2.0 Zinc Gallium Germanium Arsenic 3+ 2.4 3- Selenium Bromine I 53 Xe 54 - Krypton 85.4678 0.8 88.90585 91.224 127.60 126.90447 131.293 2.1 4+ 2.5 1- 2+ 1.3 3+ 1.4 Rubidium 6 Cs 55 Ba 56 La 57 Hf 72 Ta 73 W 74 Re 75 Os 76 Ir 77