Indium

3.1. CROISSANCE DE COUCHES MINCES PAR PULVERISATION CATHODIQUE 43 et l’implantation d’un spectro-m`tre de masse pour contrˆler les concentrations gazeuses. Par e o exemple, en utilisant de l’oxyg`ne nous avons r´alis´ des couches d’IT O (Indium Tin Oxyde) e e e et avec du diazote du Si3 N4 ). Le dernier bˆti ne comporte qu’un seul magn´tron et ne dispose pas de sas. Mais il pr´sente a e e l’avantage de pouvoir ˆtre utilis´ avec des substrats de grande taille avec une relative facilit´

plomb) mais également au gainage des câbles sous marins, aux munitions, à la verrerie, aux soudures et à la tôle de couverture ;  Autres produits : production d’or, d’argent, de cuivre, d’acide sulfurique (pour l’élaboration d’engrais et de nylon), indium (utilisé dans les écrans vidéo), et cadmium (pour la production de batteries). Nyrstar est présent en France dans le secteur via la société Galva 45 (CA de 26,6 millions d’euros en 2008). Elle est spécialisée dans la galvanisation automatisée (à destination

naturel dans un cristal de silicium pur (semi-conducteur intrinsèque) on peut l'augmenter de la manière suivante : On rajoute dans le semi-conducteur des atomes (impuretés) qui possèdent seulement trois électrons sur leur couche périphérique ( Bore - Indium). ( Le semi-conducteur ainsi obtenu est dit : Semi-conducteur extrinsèque. Il manque un électron pour réaliser les liaisons covalentes avec le silicium. Tout se passe comme si un des atomes de silicium avait cédé un électron à l'atome trivalent de

14 5d10 6p1 [Xe] 6s 2 4f 14 5d10 6p2 [Xe] 6s 2 4f 14 5d10 6p3 [Xe] 6s 2 4f 14 5d10 6p4 [Xe] 6s 2 4f 14 5d10 6p5 [Xe] 6s 2 4f 14 5d10 6p6 +1 +3 +2 +5 +2 +4 –1 +1 +3 +5 +7 +3 +5 0 204,38 Thallium 81 5,786 1,7 [Kr] 5s 2 4d10 5p1 +1 +2 +3 114,82 Indium 49 69,72 5,999 1,6 [Ar] 4s 2 3d10 4p1 +1 +2 +3 Gallium Ga 31 5,985 1,5 [Ne] 3s 2 3p1 +3 26,98 Aluminium 13 10,81 Bore B 8,298 2,0 1s 2 2s 2 2p 1 +3 5 13 Classification p´eriodique Actinides Lanthanides 0,7 [226] 4,072 Radium

donc libre de se déplacer. Cette conductivité par électrons (négatifs : dopage N) dépend du nombre des dopants et de la température. 9.3 Jonction PN 73 Si les atomes dopants n’ont que 3 électrons périphériques (bore, aluminium, gallium, indium : B, Al, Ga, In), il manque un électron par atome dopant pour assurer les liaisons avec les 4 siliciums voisins, ou encore il existe un trou. Ce trou est considéré comme une charge positive et correspond au dopage P. Les trous sont « comblés » par

35,45 35 Br 39,95 36 Kr nickel cuivre zinc gallium germanium arsenic sélénium brome krypton 58,69 46 Pd 63,55 47 Ag 65,39 48 Cd 69,72 49 In 72,59 50 Sn 74,92 51 Sb 78,96 52 Te 79,90 53 I 83,80 54 Xe palladium argent cadmium indium étain antimoine tellure iode xénon 106,4 78 Pt 107,9 79 Au 112,4 80 Hg 114,8 81 Ti 118,7 82 Pb 121,8 83 Bi 127,6 84 Po 126,9 85 At 131,3 86 Rn platine or mercure thallium plomb bismuth polonium astate radon 195,1 197,0 200

éventuelles dates d’épuisement ? L’eau future ressource rare ? Le sable, une ressource en voie de disparition 1980-2022 la fin du cryolithe, terbium, hafnium, 2021 La fin de l’argent métal 2022 La fin de l’antimoine 2023-2025 La fin du palladium, or, zinc, indium 2025 La fin de l’or 2025 La fin du zinc 2028 La fin de l’indium 2030 La fin du plomb 2028-2039 La fin de l’étain, plomb, cuivre et tantale 2039 La fin du cuivre 2040 La fin de l’uranium 2048 La fin du nickel 2050 La fin du pétrole 2040-2064 La fin

indiquons : indicate indirect : indirect indiscret : maladroit indiscrétion : indiscretion indispensable : indispensable indisposition : disgruntlement, indisposition, malaise indissoluble : unsolvable indistincte : unexplicitly, undistinguishably indium : indium individu : individual individualité : personality individuel : individual indivis : undivided indivise : undivided indocile : disobedient, disobedience indolence : offhandedness indolore : painless Indonésie : Indonesia Indonésien : Indonesian

technologies. The first to be commercialized was amorphous silicon cells (a-Si). These have low efficiency and limited lifetime (approximately 10-15 years). The other commercial thin film technologies are cadmium telluride cells (CdTe) and copper-indium-gallium-diselenide cells (CIGS). The efficiency varies somewhat depending on producer and quality. The most important advantages of thin film technology as compared to crystalline silicon cells is that they use less amounts of expensive raw material

organiques. La (figure- I.39) ci-dessous représente une cellule solaire plastique ; . Fig- I.39: Cellule solaire plastique souple de grande dimension (100 [mm] *100 [mm]) fabriquée au Genec • Thin film au silicium amorphe ou CIS (Cuivre-Indium-Sélénium) La technique de fabrication industrielle utilise des substrats de silicium d’environ 300 [µm] d’épaisseur pour des questions de résistances mécanique, voir la figure- (I.40). Cette technologie met en oeuvre 1 % seulement du silicium