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Physique. Cellules Photovoltaïques. Ec Ef Ev 0 0,5 1 f Figure I-2 Aux n électrons excités dans BC correspond un nombre égal p de trous (ou défauts d'électrons) dans BV. Si l'on applique une tension V aux bornes de l'échantillon, on observe un courant qui correspond à une conductivité σ donnée par : σ = q(µnn + µ p p ) (4) où q est la charge de l'électron et µ n et µ p sont respectivement les mobilités respectives des électrons dans BC et des trous dans BV. Remarque: Les unités généralement utilisées

Institut Supérieur des Systèmes Industriels de Gabès (ISSIG) TP Atelier Electronique Pratique n°1 : Etude & réalisation d'une Alimentation Stabilisée I-Introduction Aux Alimentations Stabilisées La grande majorité des équipements électroniques a besoin d’une source de courant continu qui peut être une pile ou une batterie, mais qui généralement est constituée d’un circuit transformant le courant alternatif du secteur (220V, 50Hz) en courant continu : l’alimentation stabilisée. Les circuits électroniques

Effet Photovoltaïque Présentation Décembre 2000 Apex BP Solar 1, rue du Grand Chêne 34270 Saint-Mathieu-de-Tréviers FRANCE Téléphone 33 (0) 499 622 622 Fax 33 (0) 499 622 623 Web http://www.apex-france.com Email info@apex-france.com E f f e t P h o t o v o l t aïque Présentation Découvert en 1839 par Henry Becquerel, l’effet photovoltaïque permet la transformation de l'énergie lumineuse en électricité. Il repose sur la technologie des semi-conducteurs 1. LES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS

fera mieux connaitre par le public européen. Il crée aussi sur la chaîne Nickelodeon une série familiale intitulé Romeo!. Son père et Zachary Williams (son petit frère dans Honey) y jouent aussi. Puis, il joue dans une production de son père "Uncle P", sortie en 2007. Il enregistre aussi un single avec Hilary Duff "Tell me". En 2004, Lil'Romeo revient avec un autre album intitulé Romeoland et crée son propre groupe qui se nomme Rich Boyz. Ce groupe a été créé à la base pour la dernière saison

d'enrichissement Le régime d'enrichissement, dit aussi d'accumulation, se caractérise par une densité élevée de charges dans la zone du semiconducteur proche de l'isolant, de même type que celles présentes dans le substrat (donc des trous s'il est de type p, des électrons s'il est de type n). Pour la structure prise ici, le régime d'enrichissement existe si Vg < Vfb. ------------------------------------------------- Régime d'appauvrissement ------------------------------------------------- Dans le

donc aucune puissance. 1.2 – Diode réelle à semi-conducteur L’anode est la zone P d’une jonction P-N. La zone de type N est la cathode. En polarisation inverse, le courant inverse est très faible mais il croît rapidement avec la température de la jonction. P En polarisation directe, au-delà de la tension de seuil (VS ≈ 0,6 V U pour le silicium), la diode est conductrice. On peut définir en chaque U seuil point P de la caractéristique une résistance statique (trait bleu) : nA RS = V/I et une résistance

extrinsèques ...................................................................................... 9 La jonction P-N .............................................................................................................................. 10 Jonction P-N polarisée en inverse ................................................................................................. 11 Jonction P-N polarisée en direct.........................................................................................

Les principaux composants et fonctions électroniques I – LES DIODES I – 1 – Physique des composants La diode à jonction est un composant électronique constitué essentiellement d’une jonction P-N qui est la zone très mince d’un monocristal semi-conducteur dans laquelle la conduction passe du type P au type N. ZAÏBI.G 2 I – 1 – Physique des composants I – 1 – 1 – Les semi-conducteurs a / Semi-conducteurs intrinsèques (ou purs) : • Ce sont des matériaux qui sont isolants presque parfaits

Exercice 9.8 IB = IC/β donc IC = 3 mA. VCE = VCC – IC.RE ; donc RE = 3/3.10–3 = 1000 Ω. VBM = (VBE + VEM) = 3,6 V. Soit I0 le courant dans R2. Le courant dans R1 est donc : I0 + IB. VCC = R1.I0 + R1.IB + R2.I0. Donc I0 = 40 µA. et R1 = 3,6/(40.10–6) = 90 kΩ. Le courant dans le pont est beaucoup trop faible. Il faut diminuer R1 et R2. Exercice 9.9 Le circuit d’entrée donne pour le potentiel de l’émetteur : VEM = VBM – VBE = 2 – 0,7 = 1,3 V. Le courant d’émetteur est donc : IE = 1,3/100 = 13 mA ;

DIODES SPÉCIALES. DIODES ZENER. Préréquis: Cours sur la diode Durée : 4 périodes But : (a) Etude de la caractérisique d’une diode Zener; (b) Tracer le schéma équivalent d’une diode Zener; © Etude de stabilisation de tension. Caractéristique. Nous avons déjà parlé de l'effet zéner. Il concerne la caractéristique inverse de la diode. En direct, une diode zéner se comporte comme une mauvaise diode normale. En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet zéner et / ou d'avalanche