Résistivité

L’IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) vient de l’association MOSFET et d’un transistor bipolaire pour cumuler la simplicité de commande (charge de grille isolée) du premier avec les performances en puissance commutable du second (modulation de résistivité à l’état passant par effet bipolaire). Il est sans doute l’interrupteur de puissance le plus utilisé lorsque les applications fonctionnent en moyenne tension (>600V). 64 Chapitre II Les pertes dans les composants de puissance sont le plus

l’autre face du blindage. Figure 27 : Schéma explicatif sur l’efficacité globale d’un blindage Les pertes par réflexion et par absorption sont fonction des paramètres suivants : * Fréquences  * Epaisseur du matériau de blindage  * Résistivité  * Perméabilité * Conductivité Les pertes par réflexion sont dues à la désadaptation d’impédance entre l’onde incidente et le blindage, et varient en fonction de la distance de source. Lorsque l’impédance d’onde incidente est très différente

D’autres types de mesures peuvent être couplés avec l’essai de pénétration, mais leur usage demeure à ce jour assez restreint : — la mesure de la densité des sols en place par gammamétrie ; c’est le pénétro-gammadensimètre (§ 4.2) ; — la mesure de la résistivité naturelle des sols en place ; — la mesure de la vitesse de propagation des ondes sismiques entre la surface du terrain où elles sont générées et successivement diverses profondeurs, selon la cote atteinte par la pointe équipée d’un géophone ; cet

A INDUCTION Formation technique 2.2. - Effet de Peau Un courant induit dans une masse métallique ne provoquera un échauffement conséquent que s’il traverse une résistance importante (P=RI2). Hors une casserole ferritique n’a qu’une faible résistivité. C’est là qu’intervient un deuxième phénomène naturel appelé ‘Effet de peau’. 2.2.1. - Définition La propagation du courant à haute fréquence ne se fait pas de la même façon qu'en courant continu. Contrairement au continu où le courant

JFET coté N- drift. µ0acc est la mobilité à champ faible dans la couche accumulée, Λ est le potentiel de réduction de la 24 Chapitre 1 État de l’art des composants MOS de puissance mobilité dans la couche accumulée [22] et ρD est la résistivité de la zone de drift N-. K est un facteur correctif qui tient compte de la nature bidimensionnelle du passage du courant du canal vers la zone de drift à travers la zone pincée de JFET. Dans l’expression (I.30), le premier terme est équivalent à

matériaux Comportements caractéristiques des matériaux selon les points de vue Mécaniques (efforts, frottements, élasticité, dureté, ductilité) Thermiques (échauffement par conduction, convection et rayonnement, fusion, écoulement) Ėlectrique (résistivité, perméabilité, permittivité) * * 1re/T T 2 2 * 1re 2 © Ministère de l’Éducation nationale – Direction générale de l’enseignement scolaire Projet de programme d’enseignements technologiques, série STI2D 21 juillet 2010 page

caractéristiques des matériaux selon les points de vue : Mécaniques (efforts, frottements, élasticité, dureté, ductilité) (1ere/Term. - N2) Thermiques (échauffement par conduction, convection et rayonnement, fusion, écoulement)(T. - N2) Electrique (résistivité, perméabilité, permittivité) (1ere – N2) Ce qu’on attend de l’élève : Connaitre la notion de contrainte, de déformation Connaitre les familles de matériaux (par exemple : céramiques, métaux et alliages, polymères et élastomères, hybrides) et

correspond à la conductance d’une colonne d’eau comprise entre deux électrodes métalliques de 1 cm2 de surface et séparées l’une de l’autre de 1 cm,l’unité de conductivité est le micro siemens par centimètre.la conductivité est l’inverse de la résistivité éléctrique La mesure de la conductivité permet de déceler immédiatement une variation de la composition de l’eau, par exemple le réglage ou d’un circuit de refroidissement pour limiter la concentration des sels dissous. Mode opératoire :

de caoutchouc peut se mettre sous la forme : fL = 64 2 p l (T2 − T1 ) ln R1 /R2 Exercices b) Déterminer l’intensité maximale du courant pouvant traverser le conducteur. A.N. : R2 = 5 mm, R1 = 10 mm, lcaoutchouc = 1,3 103 W cm– 1 ◦ C– 1 , résistivité électrique du cuivre r = 1,6 10– 6 V cm c) Les échanges entre la surface de la gaine et l’air ambiant peuvent être décrits à l’aide d’un coefficient global h défini par unité de surface, qui tient compte tout à la fois des effets de convection et

Caractéristiques physiques Les diodes à avalanche contrôlées sont fabriquées dans du silicium de meilleure qualité que les diodes standard : meilleure homogénéité du cristal, traitement de surface poussé limitant les courants de fuite. La résistivité du silicium est ainsi plus homogène, et lorsque le phénomène d'avalanche se produit, c'est dans tout le volume du cristal qui peut alors supporter des puissances très élevées pendant quelques dizaines de microsecondes. Ces diodes sont sévèrement