Résistivité

circuit passe-haut prendra la forme du schéma suivant: Filtre passe-haut 72 Chapitre 4. Bases d'électronique L'impédance de ce circuit sera illustrée par la formule suivante: Équation 4.12. Impédance du filtre passe-haut où Rc est la partie de résistivité du condensateur. En faisant quelques calculs (qui ne sont pas expliqués ici, parce que ceci implique des connaissances de mathématiques sur les nombres imaginaires) on peut calculer l'ampleur et la phase de la grandeur Z quand la fréquence varie

réalise les circuits magnétiques à base de tôles de faibles épaisseurs isolées entre elles, on parle alors de feuilletage du circuit magnétique. De plus, on ajoute du silicium dans l’acier pour, sans modifier ses propriétés magnétiques, augmenter sa résistivité. – Pertes Fer : PF . Les « Pertes fer » représentent la totalité des pertes énoncées. Ainsi : P F = P H + P CF ➤ Modèle linéaire d’une bobine à noyau de fer On souhaite souvent représenter un modèle équivalent linéaire de la bobine. Ce modèle a

Détermination de la densité des pigments par rapport à l’eau à 4°C 03p. Peintures - Détermination de la répartition granulométrique des matières de charge pour peintures par la méthode de la pipette d’Andreasen -04p. Peintures - Détermination de la résistivité de l’extrait aqueux d’un pigment ou d'une matière de charge -03p. Peintures - Détermination de la finesse de broyage des peintures, vernis et préparations assimilées -05p. Peintures - Détermination dans les pigments des sels solubles dans l’eau

plaquettes peuvent être découpées en tranches. les meules de cristal utilisées pour polir le lingot de cristal au diamètre exact requis pour les plaquettes et pour polir les côtés plats du lingot aux fins d’indiquer le type de conductivité et de résistivité du cristal. les scies à découper des plaquettes en tranches utilisées pour découper des plaquettes en tranches à partir d’un lingot en matière semi-conductrice monocristalline. les machines à polir, à étirer et à polir les plaquettes utilisées pour

Méthode photométrique Caoutchouc - Dissolution par attaque acide Caoutchouc butadiène - Détermination de la microstructure par spectrométrie à infrarouge Caoutchoucs vulcanisés ou thermoplastiques conducteurs et dissipant - Mesurage de la résistivité Caoutchouc vulcanisé - Produits antiélectrostatiques et conducteurs à usage médico-hospitalier - Limites pour la résistance électrique Caoutchouc vulcanisé - Produits antiélectrostatiques et conducteurs à usage industriel - Limites pour la

d’autres appareils électriques (n° 85.43). 8.- Au sens des n°s 85.41 et 85.42, on considère comme : a) Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur, les dispositifs de l'espèce dont le fonctionnement repose sur la variation de la résistivité sous l'influence d'un champ électrique; b) Circuits intégrés : 1°) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, inductances, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement)

resists résisté : resisted résistée : resisted French−english Dictionary 1444 French−english (dictionnaire) résistées : resisted résistent : resist résister : resist, withstand résistèrent : resisted résistés : resisted résistez : resist résistivité : resistivity résistons : resist résolu : resolved résolue : resolved résolues : resolved résolûmes : resolved résolurent : resolved résolus : resolved résolut : resolved resolution : resolution résolution : motion, resolution résolutoire : unmaking

relative polarisation diélectrique susceptibilité électrique polarisabilité (d’une particule) moment électrique dipolaire perméabilité perméabilité relative susceptibilité magnétique susceptibilité magnétique molaire résistance électrique conductance résistivité conductivité Q ␳ I j ␾, V U, ⌬␾, ⌬V E C C C m–3 A A m–2 V V V m–1 F F m–1 l C m–2 l m2 C V–1 Cm H m–1, N A–2 l l m3 mol–1 ⍀ S ⍀m S m–1 e er P ␹e ␣ p, µ µ µr ␹ ␹m R G ␳ ␬ Thermodynamique chimique Grandeur physique © Dunod – La photocopie non

appareils électriques ( n° 85.43). 8.- Au sens des n°s 85.41 et 85.42, on considère comme : a)- Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur, les dispositifs de l'espèce dont le fonctionnement repose sur la variation de la résistivité sous l'influence d'un champ électrique ; b)- Circuits intégrés : 1°)- les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, inductances, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement)

processus technologique relèvent du n° 85.42. 5.- Au sens des n°s 85.41 et 85.42, on considère comme : A) Diodes, transistors et dispositifs similaires à semiconducteur, les dispositifs de l'espèce dont le fonctionnement repose sur la variation de la résistivité sous l'influence d'un champ électrique; B) Circuits intégrés et micro-assemblages électroniques : a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont