Semi-conducteur

classification méthodique, Classe C. Électricité Groupe 0 : Groupe 1 : Groupe 2 : Groupe 3 : Groupe 4 : Groupe 5 : Groupe 6 : Groupe 7 : Groupe 8 : Groupe 9 : VI Généralités. Installations électriques. Construction électrique. Matériaux électrotechniques. Conducteurs nus et isolés. Mesure. Commande. Régulation. Matériel produisant ou transformant l’énergie électrique. Appareillage. Matériel d’installation. Matériel utilisant l’énergie électrique. Composants électroniques entrant dans un système international

l’électronique et du numérique avec des renouvellements de matériels toujours innovateurs. Samsung Electronics se lance tout d’abord dans l’électroménager, ce qui modernise l’habitat et qui vise une majorité de la population. Puis dans les semi-conducteurs, afin de les utiliser dans la fabrication des appareils. Enfin, l’entreprise se lance dans le multimédia et la téléphonie mobile afin de viser une population plus jeune. Donc grâce aux différents domaines d’activités stratégiques de Samsung Electronics

Photorésistance | Certains semi-conducteurs comme CdS, SeCd, PbD, SbIn, SbAs ... ont une résistance qui varie avec l'éclairement. Les photons incidents augmentent le nombre des porteurs libres et diminuent la résistance. L'efficacité est fonction de la longueur d'onde de la lumière. Pour CdS, la courbe de sensibilité est voisine de celle de l'oeil humain. Pour les éclairements faibles (1 lux) à forts (1000 lux) la variation de résistance avec l'éclairement est représenté correctement par

mobilité (n=3,2.10-3 m2V-1s-1 Silicium  à 300K ; Nd=1015cm-3 Exercice 2 Soit un barreau de Germanium dopé d’un atome d’arsenic pour 106 atomes de germanium. Densité = 4,41.1022 cm-3 ni=2,5.1013 cm-3 1. Quel semi-conducteur obtient-on ? Calculer n et p. 2. Sachant que (n=3500 cm2V-1s-1 et µp=1500cm2V-1s-1, calculer la conductivité du cristal dopé ainsi que sa résistivité. Comparer cette valeur à celle du matériau intrinsèque : (n=3900 cm2V-1s-1 et

des centrales solaires, sont en général posées sur des toits, remplaçant ou non la toiture. Il est possible de fixer des panneaux en mural, cependant, leurs efficacité en est limité. B. Fonctionnement d’une cellule photovoltaïque Dans un semi-conducteur exposé à la lumière, un photon d'énergie suffisante arrache un électron, créant au passage un « trou ». Normalement, l'électron trouve rapidement un trou pour se replacer, et l'énergie apportée par le photon est ainsi dissipée. Le principe d'une

distingue trois structures : le nanotube « zigzag » (axe du tube perpendiculaire à deux côtés opposés de l’hexagone) propriétés électriques: semi-conducteur le nanotube « chiral » propriétés électriques: semi-conducteur le nanotube « fauteuil » ou « armchair » (axe du tube parallèle à deux côtés opposés de l’hexagone) propriétés électriques: bon conducteur bande d'une feuille de graphène enroulée en tube Les propriétés des nanotubes de carbones: Propriétés mécaniques Une résistance mécanique

"pure et dure", une technique. La principale différence entre l'électronique et l'électricité réside dans le fait que les composants électroniques (diodes, transistors, circuits intégrés...) sont réalisés à l'aide d'un matériau conducteur particulier, appelé semi-conducteur (silicium pour l'essentiel), au lieu des métaux et alliages traditionnels utilisés en électricité (cuivre...). La conduction électrique, dans les composants électroniques, peut par conséquent être contrôlée de manière infiniment

. . . . . 3 Du semi-conducteur aux transistors 3.1 Les semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Semi-conducteurs intrinsèques . . . . . . 3.1.1.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.1.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.1.3 Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.2.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type

. . . . . . . . . 3 Du semi-conducteur aux transistors 3.1 Les semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Semi-conducteurs intrinsèques . . . . . . 3.1.1.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.1.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.1.3 Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type n 3.1.2.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.2.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.2.3 Modèle . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p 3

électrique permettant de mesurer Ur, relié à la conductivité de SnO₂. Gaz ciblés : CH₄, CO, H₂, NH₃, C₃H₈, SO₂, Cl₂, O₂, O₃ Dosage : σ[SnO₂] = f(Cgaz) Ox/Réd O₂ O⁻ O⁻ O⁻ SnO₂ Chauffage ≈ 300°C E r Signal : Ur (V) Conclusion :  Autres semi-conducteurs (TiO₂, WO₃ …)  Forte sensibilité (ppm)  Pas de sélectivité (signal indépendant du gaz ciblé)  Vers le développement de filtres sélectifs? CNRS Toulouse Laboratoire Chimie de coodrdination. http://www.lcctoulouse.fr/lcc/IMG/pdf/c apteurs_gaz