Transistor à effet de champ

INTRODUCTION Le transistor est un composant électronique actif utilisé : comme interrupteur dans les circuits logiques ; comme amplificateur de signal ; pour stabiliser une tension, moduler un signal ainsi que de nombreuses autres utilisations. Un transistor est un dispositif semi-conducteur à trois électrodes actives, qui permet de contrôler un courant (ou une tension) sur une des électrodes de sorties (le collecteur pour le transistor bipolaire et le drain sur un transistor à effet de champ) grâce à une électrode

Le transistor est le composant électronique actif fondamental en électronique utilisé principalement comme interrupteur commandé et pour l'amplification, mais aussi pour stabiliser une tension, moduler un signal ainsi que de nombreuses autres utilisations. Un transistor est un dispositif semi-conducteur à trois électrodes actives, qui permet de contrôler un courant (ou une tension) sur une des électrodes de sorties (le collecteur pour le transistor bipolaire et le drain sur un transistor à effet

Le transistor Le transistor est le composant électronique fondamental en électronique. Il est utilisé comme interrupteur, pour stabiliser une tension ou moduler un signal. Un transistor est un dispositif semi-conducteur, qui permet de contrôler un courant. Le mot « transistor » provient de l’anglais « transfer resistor », qui veut dire « résistance du transfert ». Le terme transistor désigne aussi les récepteurs radio équipés de transistors. Le transistor a été inventé le 23 décembre 1947

Fonctions électroniques », constitue le premier cours faisant appel à la technologie électronique dans le domaine des télécommunications. L’objet de ce support de cours est de permettre au lecteur de mieux comprendre le fonctionnement des principaux composants utilisés en électronique analogique notamment la diode à jonction, le transistor bipolaire, le transistor à effet de champ et les amplificateurs opérationnels parfaits. A ce titre, ce cours se focalisera sur les principales applications de

capacité MOS se compose d'une succession de trois couches : * Une couche « métallique ». Il s'agit typiquement d'aluminium. Dans certains dispositifs, ce « métal » est en fait du polysilicium fortement dopé, qui n'est pas chimiquement un métal mais en a la structure électronique (absence de gap, forte densité de porteurs), seule caractéristique importante ici. * Une couche « isolante », généralement composée d'oxyde ou de nitrure de silicium. Il s'agit d'une couche ne possédant que très peu de porteurs

..................................... 18 Chapitre 4 : Transistor bipolaire 1. 2. Transistor bipolaire – Principe....................................................................................................... 21 Caractéristiques du transistor ....................................................................................................... 22 Page 1 Pr. JAMAL ELABBADI – EMI– 2010-2011 3. 4. Polarisation du transistor ........................................................

..................................... 18 Chapitre 4 : Transistor bipolaire 1. 2. Transistor bipolaire – Principe....................................................................................................... 21 Caractéristiques du transistor ....................................................................................................... 22 Page 1 Pr. JAMAL ELABBADI – EMI– 2010-2011 3. 4. Polarisation du transistor ........................................................

............................................................................... 17 II. Rapport de simulation ............................................................................................................ 24 1. ETUDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE (BJT) ..................................................................................... 24 1.1. Etude statique ...................................................................................................................

La fonction NON OU ou NOR : A+ B .............................................................................................................23 2.3.5.3 Quelques propriétés des fonctions NON ET et NON OU....................................................................................23 2.3.5.4 La fonction OU exclusif (abrégé OUEX ou XOR) : A B AB AB ⊕= + . . ......................................................23 2.3.5.5 La fonction ET inclusif (abrégé XNOR) : A B AB AB ⊕= + . . ........

doit conduire à la définition d’un modèle linaire équivalent. VCC iE iS uE uS Dans le cas d’amplificateurs de signal élémentaires à un transistor, nous supposerons ce transistor initialement polarisé en classe A. 2 . Modèle petits signaux du transistor bipolaire. Soit un transistor fonctionnant en classe A ; idéalement, les coordonnées de son point de repos correspondent aux points E0, T0 et S0 du graphique ci-dessous. Les coordonnées courantes de fonctionnement du transistor se composent de