Transistor à effet de champ

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP TEC Canal N P G : Grille G S Canal N S: Source D : Drain D Symbole : Canal N N G P Substrat N : semi-conducteur de type N Substrat P : semi-conducteur de type P Canal N est conducteur par nature Pour moduler le canal : jonction PN polarisée en inverse. D G P N Canal P D G S S Fonctionnement TECnormal Canal N : TEC Canal P VGS ≤ 0 VGS ≥ 0 VDS ≥ 0 VDS ≤ 0 La source est la référence commune TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP Principe de fonctionnement : G :

FONCTIONNEMENT…………………………………………………………………………………………… V/ CONCLUSION……………………………………………………………………………………………………… I/INTRODUCTION Les circuits intégrés à technologie MOS (Métal Oxyde Semi-conducteur) sont réalisés à partir de transistors MOS. Comparée à la technologie TTL cette technologie, consomme moins d’énergie, a une marge de sensibilité aux bruits plus large, fonctionne sous une gamme de tensions d’alimentations plus grande, a une sortance plus élevée et une densité d’intégration plus importante. Néanmoins la technologie TTL est plus

COURS LA COMMANDE DE PUISSANCE : TRANSISTOR EN COMMUTATION page 1 / 2 V FONCTIONNEMENT EN COMMUTATION A TRANSISTOR BIPOLAIRE I PRÉSENTATION Le transistor se comporte comme un Le transistor est un semi-conducteur contrôlable qui permet deux types de fonctionnement : - Fonctionnement en régime linéaire (amplificateur de courant). - Fonctionnement en régime de commutation (bloqué / saturé). 2.1- Transistor bloqué : interrupteur (entre C et E) commandé par la base. interrupteur

de l’épreuve de Physique appliquée Etude d’un tapis de jogging Partie A : Etude de l’onduleur 12-1 Par exemple : transistor de puissance MOSFET Umoy = 0 V L’onduleur réalise une conversion continu → alternatif = 4,24 A 2 On utilise un ampèremètre avec la fonction RMS (ou AC). u=E 0 ≤ t ≤ t1 : t1 ≤ t ≤ T/2 : I= I max 2-2-1 2-2-2 2-3-1 2-3-2 le courant va de B vers A (i < 0), D1 et D3 sont passantes. le courant va de A vers B (i > 0), H1 et H3 sont passants. Fabrice Sincère http://perso

courants issus d’un réseau de distribution pour satisfaire les besoins de la charge à alimenter. Les commutateurs non commandés sont réalisés par les diodes de puissance. Lorsque les applications nécessitent une intervention extérieure, les composants commandables entrent en jeu : parmi ceux-ci, le document se limite à l’étude des thyristors et des transistors de puissance bipolaires ou MOS. Un bref aperçu du transistor IGBT, plus moderne, est présenté pour terminer. L’étude de la diode de puissance

de puissance sur l’onduleur Exercice Ond01 : onduleur autonome On réalise le montage suivant en utilisant quatre interrupteurs électroniques, fonctionnant deux par deux : iG iK1 K1 R i K4 u K3 K2 E Le générateur de tension continue a une f.e.m. E égale à 24 V. La charge est une résistance de valeur R = 100 Ω. Le fonctionnement des interrupteurs est résumé sur le diagramme ci-dessous : K1, K 3 fermés 0 1 4 6 K2, K4 fermés T 9 10 t (ms) Les interrupteurs sont supposés parfaits

2012-2013 CLASSE: 2NDE D THEME: TRANSISTOR Présentée par : - FRANCISCO BANDOU Murielle PLAN INTRODUCTION I- DEFINITION ET HISTOIRE DU TRANSISTOR 1-DEFINITION 2-HISTOIRE II- FONCTIONS ET TYPES DE TRANSISTOR 1-FONCTIONS 2-TYPES DE TRANSISTOR III- EVOLUTION DU TRANSISTOR, SON PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT ET DESCRIPTION SCHEMATIQUE 1-EVOLUTION DU TRANSISTOR 2-PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT 3- DESCRIPTION SCHEMATIQUE

1. Le transistor a` effet de champ a` jonction Transistors a` effet de champ (1) ´ A. Kasbari - 9 decembre 2014 - Page 1 / 6 Transistors a` effet de champ (1) 1. Le transistor a` effet de champ a` jonction 1.1. Structure et principe de fonctionnement ´ 1.2. Les differents modes de fonctionnement 1.1 Structure et principe ´ 3 electrodes : source, drain, grille Une jonction PN entre la source et la grille Polarisation en inverse de cette jonction (VGS < 0) et VDS > 0 ´ VGS diminue ⇒ ZCE s’etend

4 Les semiconducteurs : ................................................ 7 La jonction P-N : ......................................................... 9 La technologie des transistors :................................. 10 Le transistor à jonctions :.......................................... 10 Le transistor à effet de champ : .……………..……………..11 Principes de base : .................................................... 12 Application : ............................................................. 14

MODÉLISATION SPICE DES TRANSISTORS FLIMOS DE PUISSANCE Soutenue le 25 Juin devant le jury : Président Rapporteurs A. CAZARRE H. MOREL K. KASSMI J. MILLAN F. MORANCHO M.M. HASSANI Examinateur Directeur de thèse Co-Directeur Rapport LAAS N° AVANT PROPOS Ce travail a été préparé au LAAS du CNRS (Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes du Centre National de la Recherche Scientifique) groupe ‘Intégration de Systèmes de Gestion de l’Energie’ (ISGE) à Toulouse. Dans ce cadre