Transistor

Retour au menu È Montage émetteur commun 1 – Polarisation d’un transistor 1.1 – Rôle de la polarisation La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans une zone où ses caractéristiques sont linéaires. Pour cela, on applique sur les trois électrodes du transistor des potentiels continus de valeurs convenables. Nous allons étudier les montages dans lesquels l’électrode commune est l’émetteur. En entrée, on impose IB et VBE et en sortie, on déduit IC et

..................................... 18 Chapitre 4 : Transistor bipolaire 1. 2. Transistor bipolaire – Principe....................................................................................................... 21 Caractéristiques du transistor ....................................................................................................... 22 Page 1 Pr. JAMAL ELABBADI – EMI– 2010-2011 3. 4. Polarisation du transistor ........................................................

......................................................... 19 IV. Transistor à jonction ou transistor bipolaire ............................................................... 22 IV.1 Principe de fonctionnement : effet transistor........................................................ 22 IV.2 Réseau de caractéristique du transistor .................................................................. 23 IV.3 Polarisation du transistor .................................................................

............................................................................... 17 II. Rapport de simulation ............................................................................................................ 24 1. ETUDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE (BJT) ..................................................................................... 24 1.1. Etude statique ...................................................................................................................

HISTORIQUE DE L’ELECTRONIQUE ET EVOLUTION DES CIRCUITS INTEGRES........43 1.1 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR).................................................................43 1.2 LES PREMIERS CIRCUITS INTEGRES....................................................................................................................43 1.3 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR) ............................................................44 1.4 L’EVOLUTION

conduit lorsqu’il reçoit des rayons infrarouges. Ce transistor ne supportant pas plus de 4mA, le signal ne peut être utilisé directement et doit être amplifié. Attention : le phototransistor NPN ressemble à une LED incolore, mais le méplat correspond au collecteur et donc, contrairement à une LED, se trouve du côté « + ». Le détecteur est un amplificateur opérationnel de type LM311 qui fonctionne dans une plage de 5 à 15v et dont la sortie est un transistor NPN supportant 50mA, ce qui permet de commander

phénomène systématiquement détectable par le robot. Nous allons utiliser la LED réceptrice du Moway, car aucune source ne peut délivrer une source infrarouge. LED: Une DEL ou LED est un dipôle non-linéaire polarisée. Phototransistor: C'est un transistor bipolaire qui est sensible à la lumière. Son rôle est de convertir un signal lumineux à un signal électrique. Dans cette partie on cherche à savoir si le robot peut se diriger vers sa base lorsque celle-ci émet un rayonnement infrarouge. Pour

arc électrique s'établirait entre les contacts qui ne couperaient plus aucun courant. Seuls les interrupteurs statiques à base de semi conducteurs sont utilisés. On trouve : • la diode, • le transistor bipolaire, • le transistor à effet de champ à grille isolé (MOS), • l'IGBT (insulated gate bipolar transistor), • le thyristor "classique", • le thyristor GTO (gate turn off). 1 Principes fondamentaux : Aire de sécurité en direct : Un composant de puissance ne peut pas faire passer un courant infini

vue, sembler complexe. Mais, en passant au schéma pratique de câblage, reproduit en figure 18, nous nous rendons compte que pour réaliser cette alarme, il n’y a besoin que d’un seul circuit intégré CMOS type 4093 qui contient 4 portes Nand, d’un transistor NPN et d’un simple régulateur de tension L7812. La broche d’entrée 1 de la porte Nand IC2/A se trouve forcée au niveau logique haut par la résistance R4, pendant que la broche d’entrée 2 se trouve forcée au niveau logique bas par la résistance

la carte 2.2.6. Étude de la commande d’un relais Un transistor permet de commander le relais e n t ou t o u r i e n à partir du signal Ve. Baccalauréat Professionnel SYSTEMES ELECTRONIQUES NUMERIQUES Champ professionnel : Electrodomestique Session : 2008 Epreuve : E2 DOSSIER CORRIGE Durée : 4 heures Coefficient : 5 Page C 5 / 25 0806-SEN T ED AN-1 C Bac Pro SEN Epreuve E2 Session 2008 Données : T: transistor NPN, ß = 250, Vcesat = 0,2V Vbesat = 0,7V, Vcemax = 45V