Transistor

composants peut-on utiliser pour réaliser les interrupteurs ? Les interrupteurs doivent être commandables à l’ouverture et à la fermeture. En pratique, on utilise des semi-conducteurs de puissance tels que le transistor bipolaire, le thyristor GTO, le transistor MOSFET ou encore le transistor IGBT (liste non exhaustive). IUT Nancy-Brabois Fabrice Sincère http://pagesperso-orange.fr/fabrice.sincere Page 7 / 7 

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP TEC Canal N P G : Grille G S Canal N S: Source D : Drain D Symbole : Canal N N G P Substrat N : semi-conducteur de type N Substrat P : semi-conducteur de type P Canal N est conducteur par nature Pour moduler le canal : jonction PN polarisée en inverse. D G P N Canal P D G S S Fonctionnement TECnormal Canal N : TEC Canal P VGS ≤ 0 VGS ≥ 0 VDS ≥ 0 VDS ≤ 0 La source est la référence commune TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP Principe de fonctionnement : G :

CHOIX……………………………………………………………. IV/ FONCTIONNEMENT…………………………………………………………………………………………… V/ CONCLUSION……………………………………………………………………………………………………… I/INTRODUCTION Les circuits intégrés à technologie MOS (Métal Oxyde Semi-conducteur) sont réalisés à partir de transistors MOS. Comparée à la technologie TTL cette technologie, consomme moins d’énergie, a une marge de sensibilité aux bruits plus large, fonctionne sous une gamme de tensions d’alimentations plus grande, a une sortance plus élevée et une densité d’intégration

fo = 1/2πRC , si on prend R=10 kΩ et C=15 nF on obtient fo=1060 Hz. Pour l'amplitude, il faut avoir A.B = 1 soit A=3 quand Vs = 6 Vcc. Comme on a utilisé un JFET canal n sur le CAG , le détecteur de crête doit détecter la crête négative car ce transistor se commande par VGS < 0. Quand Vs= 6 Vcc, Vmin = -3V, le détecteur de crête délivre une tension Vc=-2.4 V car il y a un chute de 0.6 V dans la diode. Le JFET doit fonctionner avec VGS comprise entre 0 et VGSOFF = -3V, choisissons VGS= -1V, il

égale à E (figure 1). Les progrès en coût et En performances accomplis par les interrupteurs de puissance, ont permis à cette Structure très simple de s’imposer. Les interrupteurs peuvent être réalisés, suivant la puissance à contrôler, avec des Transistors MOS ou bipolaire, des IGBT ou des GTO associés à une diode en Antiparallèle pour obtenir la réversibilité en courant. La modulation de largeur d’impulsion consiste à commander les interrupteurs De manière à délivrer au moteur une suite d’impulsions

TP EEA 3.2 -Électrotechnique- Redressement monophasé non commandé Simulation en électronique de puissance avec PSIM Introduction Le schéma classique de transport d'énergie électrique de la centrale de production vers le particulier est donné ci-dessous. Centrale EDF Production d'énergie Transformateur 20 000V/50Hz RTE Transport Transformateur 400 000V/50Hz 225 000V/50Hz 63 000V/50Hz Particulier Compteur Convertisseur 230V/50Hz 230V/50Hz 25 000V/4 400Hz 5V, 12V DC... Illustration 1 : Schéma

E Series Eaton E Series DX Onduleur triphasé 20, 30, 40 kVA Onduleur On-line Double Conversion L ’onduleur triphasé Eaton E-series DX est de technologie ON-LINE double conversion. Disponible en puissances de 20, 30, et 40 kVA, équipé de batteries internes, il peut délivrer jusqu’à 15 min d’autonomie sur charge informatique typique. Son design compact lui permet de s’adapter parfaitement aux espaces limités et aux environnements les plus contraignants (IP21). L ’onduleur Eaton E-series

Baccalauréat technologique Sciences et technologies industrielles (STI) Génie Electrotechnique Session 2007 Eléments de correction de l’épreuve de Physique appliquée Etude d’un tapis de jogging Partie A : Etude de l’onduleur 12-1 Par exemple : transistor de puissance MOSFET Umoy = 0 V L’onduleur réalise une conversion continu → alternatif = 4,24 A 2 On utilise un ampèremètre avec la fonction RMS (ou AC). u=E 0 ≤ t ≤ t1 : t1 ≤ t ≤ T/2 : I= I max 2-2-1 2-2-2 2-3-1 2-3-2 le courant va de B vers

12 12 13 3 LA DIODE 15 PRINCIPE 3.2 CARACTERISTIQUES 3.3 DIODES PARTICULIERES 3.3.1 DIODE SCHOTTKY 3.3.2 DIODE ZENER 15 15 16 16 17 4 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE 18 3.1 4.1 PRINCIPE 18 4.2 REGIME DE FONCTIONNEMENT 4.3 CARACTERISTIQUES 4.4 MODELE AUX PETITS SIGNAUX 18 19 20 5 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP 22 5.1 PRINCIPE 5.2 REGIME DE FONCTIONNEMENT 5.3 CARACTERISTIQUES 5.4 MODELE AUX PETITS SIGNAUX 22 23 24 26 6 L’AMPLIFICATEUR LINEAIRE

INSTITUT D’ÉLECTRONIQUE ET DE TÉLÉCOMMUNICATIONS DE RENNES Amplificateur basé sur un transistor et ses paramètres S Cette partie concerne l’étude d’un amplificateur HF basé sur un bloc de paramètres S dans lequel sera rentré, les paramètres S11, S21, S12 et S22 en amplitude et phase ainsi que les paramètres de bruit quand ce dernier sera introduit. Ce sont en fait les paramètres d’un transistor puisqu’un ampli en HF est basé sur ce composant. Les notions abordées vont donc concerner