Transistor

et moyenne puissance, les redresseurs commandés à thyristor sont en voie d'obsolescence et sont avantageusement remplacés par la « mise en cascade » d'un redresseur non commandé et d'un convertisseur continu-continu. D'une part, la commande d'un transistor à effet de champ ou d'un IGBT est beaucoup plus simple que celle d'un thyristor et d'autre part, les fréquences de fonctionnement des hacheurs qui dépassent aujourd'hui les 200 kHz permettent d'adapter le rapport cyclique du hacheur pour obtenir

___________________________________________________________________ 13 Annexes ________________________________________________________________________ 14 a. b. Datasheet constructeur _____________________________________________________________________ 14 Choix du transistor _________________________________________________________________________ 14 Clerc Romain, Mai 2013 3 Rapport de TP SEMI MatLab Liste des figures Figure 1. Moteur DC ______________________________________________________________________________________

Calcul des courants dans les transistors en Technologie CMOS NMOS Tension de seuil : VTn = VTn0 + γ n PMOS ) Tension de seuil : VTp = VTp 0 − γ p ( 2φf + V SB − 2φf ≈ 1V ( 2φ f + V BS − 2φf ≈ −1V ) ▪ Régime bloqué : Si VGS ≤ VTn IDn = 0 ▪ Régime bloqué : Si VGS ≥ VTp IDp = 0 ▪ Régime ohmique : Si VGS > VTn et VDS ≤ VGS - VTn W  V   IDn =  n  µn.Cox  VGS − VTn − DS  VDS L  2    n  ▪ Régime ohmique : Si VGS < VTp et VSD ≤ VSG - │VTp│  Wp  V

(R )dB = 10 log Ps     Pe  Ps : puissance efficace de sortie Pe : puissance efficace d’entrée   4 FORMULAIRE LICENCE RADIOAMATEUR F4 F4BJH-11/07 DIODES I I U cathode anode diode bloquée diode passante U B IB IC TRANSISTOR BIPOLAIRE C NPN E B IC = β × IB IB IC E PNP C La diode ne laisse passer le courant que dans Si un petit courant, peut parcourir la base dans le un seul sens. Dans ce cas, la tension à ses sens de la flèche, alors un gros courant peut

électronique industrielle. CONTENU DU STAGE 1ère journée : De 8H : 00 à 14H : 00 4ème journée : De 8H : 00 à 14H : 00 GENERALITES. LES COMPOSANTS DE PUISANCE (caractéristiques et test des composants) : Diodes de puissance, thyristor Transistor bipolaire, les MOS. QUELQUES APPLICATIONS INDUSTRIELLES : Les alimentations statiques de puissance. (Onduleur ON LINE / OFF LINE) La variation de vitesse des machines tournantes. (essai, choix, maintenance) * Variateur de vitesse des moteurs

conduction et un blocage commandés. Il est donc utilisé en tant qu’interrupteur commandé pour des applications concernant des tensions de l’ordre du kV et des courants de quelques kA. Son utilisation est fonctionnellement similaire à celle d’un transistor en commutation. Domaine d’utilisation du GTO : [pic] Nous allons dans un premier temps décrire sa structure, sa technologie, son principe de fonctionnement puis les STRUCTURE ET TECHNOLOGIE DU GTO Le thyristor GTO est une évolution

G.P. Sujet colle électrocinétique ÉLECTROCINÉTIQUE CHAP 00 Montage à résistance négative On considère le montage suivant à amplificateur opérationnel idéal. R3 i ve vs R1 R2 On note =v −v− la tension différentielle à l'entrée de l'AO. On rappelle: -en régime linéaire, =0 et −V SAT v SV SAT -en régime saturé, 0 quand v S =V SAT et 0 quand v S =−V SAT . 1. Étudier la relation entre v S et v E (3 cas). Représenter dans le plan v S (ordonnée) v E (abscisse). 2. Étudier la

Amplificateur opérationnel Dans tous les montages considérés, l'amplificateur opérationnel est supposé idéal: résistance d'entrée infinie (courant d'entrée nul) et amplification différentielle en boucle ouverte infinie (tension différentielle nulle). e+ : tension de l’entrée + (entrée non inverseuse) de l’amplificateur opérationnel. e- : tension de l’entrée - (entrée inverseuse) de l’amplificateur opérationnel. Exercice 1 Soit la figure suivante : Calculer le courant qui circule dans R3

Travaux Pratiques N 2 | Amplificateur Opérationnel Réel | | | Amplificateur Opérationnel Réel * Objectif : Réalisation des différents montages à base d’amplificateur opérationnel réel. * Montage 1 : * Première partie : En premier lieu, on réalise le montage suivant : Avec un AOP TL081, R1=3.8Ω , R2=5.1Ω . On applique à l’entrée une tension sinusoïdale d’amplitude maximale Vemax = 0.6V et on obtient à la sortie une tension Vs=0.8V dont on présentera

réalisés par les diodes de puissance. Lorsque les applications nécessitent une intervention extérieure, les composants commandables entrent en jeu : parmi ceux-ci, le document se limite à l’étude des thyristors et des transistors de puissance bipolaires ou MOS. Un bref aperçu du transistor IGBT, plus moderne, est présenté pour terminer. L’étude de la diode de puissance commence par un rappel de ses fonctions, considérée parfaite et fonctionnant en commutation. Une extension relative aux imperfections