Transistor

Etude du hacheur de traction Ce hacheur est de type 2 quadrants et est représenté sur la figure suivante. Les diodes et transistors sont supposés parfaits, sauf indications contraires. D1 Lm im T1 Vbat T2 D2 vk E La commande réalisée est complémentaire et synchrone, de fréquence f = 1/T. Le rapport cyclique sera noté , les durées de commande des deux transistors étant alors les suivantes : [T, T] commande de T2. [0 , T] commande de T1 Le moteur à courant continu est modélisé par une

de produire des objets: c'est avant tout, en dépit de sa proximité avec une science "pure et dure", une technique. La principale différence entre l'électronique et l'électricité réside dans le fait que les composants électroniques (diodes, transistors, circuits intégrés...) sont réalisés à l'aide d'un matériau conducteur particulier, appelé semi-conducteur (silicium pour l'essentiel), au lieu des métaux et alliages traditionnels utilisés en électricité (cuivre...). La conduction électrique

plus utilisées sont aussi plus performantes pour le moteur. 1.4.3.1 Cas du moteur 2 phases - moteur bipolaire Principe de commutation des étages de puissance Séquencement A : Excitation pleine onde - 1 phase active |Transistor saturé |IAD |IEH |Pas |Position du Rotor | |T1-T2 | | | | | |T5-T6 | |

S2 KM 1 Nom : …………………………………… Prénom : ………………………………….. 2ème Sciences …… N° …… Page 3 2ème Partie : Les fonctions électroniques : (21,25 pts) On donne le schéma du montage (1) ci-contre : Exercice1 1) – indiquer sur le transistor V : TRAVAIL DEMANDE : a- le nom de chaque électrode (C, B et E). (0.75pt) b- son type (NPN ou PNP). (0.5 pt) ……….……….. 2) – Que signifient les indications suivantes. (1.5 pt) B C E 3) – Quel est le rôle de la résistance Rb

Surface Analogique 300 transistors 100 transistors 150 transistors 300 transistors 100 transistors 2500 transistors 600 transistors 800 transistors 1000 transistors Surface Consommation Numérique 500 portes 10 mWatts 10 mWatts 100 portes 10 mWatts 150 portes 500 portes 10 mWatts 100 portes 1 mWatt 5000 portes 1 Watt 500 portes 100 mWatts 200 portes 100 mWatts 5000 portes 100 mWatts Remarque : Comparateur : 10 transistors Ampli-op : 50 transistors DAC (N bits) : 2N transistors + 2N portes Registre

II- ETUDE DU SCHEMA ELECTRONIQUE 3 1) 2) 3) 4) 5) 6) 7) DECOUPAGE DU SCHEMA EN BLOCS FONCTIONNELS BLOCS TRANSFORMATIONS N°1 ET N°2 BLOC AMPLIFICATION BLOCS LOGIQUES 1 ET 2 BLOC LOGIQUE 3 BLOC LOGIQUE 5 BLOCS LOGIQUES 4/4’ ET TRANSISTORS 3 4 9 13 18 24 27 III- RESUME 32 IV- ANNEXES 33 1) 2) 3) 4) 33 36 40 42 BLOC AMPLIFICATION BLOCS LOGIQUES 1 ET 2 BLOC LOGIQUE 3 BLOC LOGIQUE 5 BIBLIOGRAPHIE 43 PROJET G.E 1 I- La premiere

programmes dirigeant les machines et donc leur « intelligence ». Cette évolution est due à la taille de gravure des transistors, alors que les transistors étaient gravés à 1.5µm en 1986, ceux d’aujourd’hui sont gravés en 32nm ( 0.032µm). Ceci pose cependant le problème de la surchauffe car le nombre de transistors augmente sans cesse, d’après la loi de Gordon Moore, le nombre de transistors dans un microprocesseur double tous les 18 mois. La capacité de stockage est elle aussi en pleine croissance

à la composante continue du signal PDC et la puissance moyenne de la composante alternative de ce signal PAC. Les termes mixtes disparaissent. Cette propriété importante simplifiera considérablement le calcul de la puissance dans les circuits à transistors où le petit signal alternatif à amplifier est le plus souvent superposé à une polarisation continue qui fixe le point de fonctionnement de l'élément actif. 2.1.3.3 Cas particulier d'un signal sinusoïdal La tension et le courant s'expriment à l'aide

cuisson à induction électromagnétique.( Solution 9:) 5 Exercice 9: Dissipateur thermique (Solution 10:) 6 Exercice 10: Radiateur pour transistor de puissance (Solution 1:) 6 Exercice 11: BTS Et 2008 Noumea : Etude du comportement thermique d'une résistance de freinage (Solution 12:) 7 Solutions à Electrothermie 9 Solution 1: Exercice 10:: Radiateur pour transistor de puissance (Exercice 10:) 9 Solution 2: Exercice 1:Ballon d’eau chaude 10 Solution 3: Exercice 2:Etude d’un cumulus 10 Solution

donne : IB = (VBM – VBE)/RB = 9,3/(47.103) = 0,2 mA. Le circuit de sortie donne : VCE = VCC – RC.IC = 10 – RC.β.IB = 10 – 5.β ; Tout transistor ainsi alimenté est saturé (VCE ≈ 0 ; IC < β.IB). Exercice 9.3 Le circuit d’entrée donne : IB = (VBM – VBE)/RB = 4,3/(4,7.103) = 0,915 mA. Le circuit de sortie donne : VCE = VCC – RC.IC = 5 – 0,43.β ; Tout transistor ayant un β > 12 et ainsi alimenté est saturé : VCE ≈ 0 et IC = VCC/RC = 10,6 mA Exercice 9.4 Circuit a : Le circuit d’entrée donne