Wafer

processus de microfabrication, il faut choisir le substrat sur lequel on va travailler. Ici, on travaillera sur un wafer de silicium oxydé SiO2. 1 Lithographie simple face - Premier masquage  1 Dépôt de résine S 18-13 Dans un premier temps, nous avons déposé sur le wafer une fine couche de résine photosensible. La tournette est un bon moyen pour déposer uniformément la résine sur le wafer. Il faut alors régler trois paramètres de l’appareil qui sont la vitesse de rotation, l’accélération et le

exemple. Son point de fusion est très élevé, vers 1420 degré Celsius, et son composé SiO2 est facile à former, stable à haute température (jusqu’à 1500 degré Celsius) , ne se dissous pas dans l’eau etc. Les différents types de wafer : Il y a différent type de wafer (type N et P) suivant les dopants utilisés. Comme vu dans le cours, le dopage de type N est obtenu en ajoutant du Phosphore, de l’Arsenic ou de l’Antimoine et ce lui de type P demande du Bore généralement Phase de découpage :

des étapes de photolithographie on est capable de reproduire ces dessins a différents niveaux (oxydes, métaux, semi-conducteurs) pour réaliser ces composants électroniques de la puce. On en imprime le plus possible sur la plaquette (en anglais « wafer ») pour baisser les couts. Le nombre de puces par plaquette est lie a la taille du circuit (surface plaquette/ surface produit). Apres, ces plaquettes sont découpées pour séparer les puces que l’on monte dans un boitier (voir photo ci-dessous) qui

Production de Wafer de Silicium Sommaire : Introduction Caractéristiques du Silicium et d’un Wafer de Silicium Les différentes phases nécessaires à la production d’un Wafer de Silicium Introduction La production de Wafers de Silicium est la 1ere étape de la fabrication de circuits intégrés. Un Wafer est une tranche de semi-conducteurs, typiquement du silicium, à partir duquel on va fabriquer des centaines de composants identiques. C’est ce que montrent fièrement au publique les sociétés

l’alkoxyde vis à vis du wafer. L’ensemble des mesures d’angle de contact a été réalisé au laboratoire IFOS à l’Ecole Centrale de Lyon, mais le centre SPIN a, depuis, fait l’acquisition d’un nouvel appareil DIGODROP (cf. B.3.2.1). tel-00012121, version 1 - 11 Apr 2006 D.5.1 Procédures d’attaques Les attaques acides ont été réalisées sur trois types de wafers : des wafers recouverts soit de platine, soit de silice qui sont les deux éléments qui composent la surface d’un wafer et des wafers munis

différents laboratoires spécialisés dans les matériaux comme le SIMAP afin d'obtenir un panel de plaque le plus large possible. Nous avons alors réussi à avoir à titre gracieux, une plaque de silicium, une plaque de cuivre, une plaque de verre et un wafer en silicium. De plus, nous possédions la plaque en acier du groupe précédent. Les dimensions de ces plaques seront décrites dans la suite du rapport. Le capillaire nous a quant à lui été fourni par notre tuteur de groupe, M. OCAMPO. 3.1.2. L'optimisation

différents clients de ST ……………………… ……………………………. …………………………… 12 13 14 Fig.6: Organigramme de ST BSK-BE Fig.7: Présentation de Ligne WATT Fig.8: la jonction des Leads avec frame Fig.9: Collage de wafer sur ruban Fig.10: le sciage de wafer Fig.11: Décollage de dies du Wafer Fig.12: Capillaire bondé puce et leads Fig.13: Enrobage par résine spéciale Fig.14: First Cropping Fig.15: Second cropping Fig.16: Equipment Test Fig.17: Tête Produisant Laser …………………………….. ………………… ……

Transformation de la matière première en lingot Le silicium est ensuit fondu à haute température, puis refroidi pour en faire un lingot. Transformation du lingot en wafer Le ligot est découpé en fines tranches d’environs 0.2 mm d’épaisseur, qu’on appelle wafer ou plaquettes. Transformation des wafer en cellules Pour transformer les wafer en cellules sensibles à la lumière, on leur fait subir in traitement physico-chimique : à la fin du processus, elles sont dotées d’un pôle + et d’un pôle -. On les

qui sont appelés « wafer ». La coupe est effectuée par une scie à fil. Le problème de cette étape est la perte de découpe. Afin de la réduire, la solution apportée est l’utilisation de la scie à fil. La perte est de 55% moins que l’utilisation d’une scie de diamètre intérieur. Avec cet outil, il faut 570µm de silicium pour un wafer de 350µm. Le sciage représente un élément coûteux dans la production des cellules photovoltaïques. Figure 13 Schéma de la découpe d’un Wafer IV Conclusion

Le marché des semi-conducteurs regroupe le design de circuit intégré, la fabrication de wafer, les tests et les assemblages. Cette industrie a commencé à Singapour dans les années 1960 avec les infrastructures d’assemblages et de test pour se développer dans les années 1980 et être maintenant un des secteurs principaux de la croissance de Singapour. Aujourd’hui, on trouve 14 centre de fabrication de wafer en silicones dont les trois premières entreprises mondiales, 20 centres de test et d’assemblage