Collecteur et émetteur

est polarisée en inverse. La deuxième zone P est le collecteur (voir Fig. 2.). Fig. 2. Schéma de principe d'un transistor. Les trous injectés dans la base par l'émetteur ont une faible probabilité de se recombiner avec les électrons de la base pour deux raisons : - la base est faiblement dopée, donc, les porteurs majoritaires (électrons) seront peu nombreux. - la base est étroite, et donc les trous émis sont happés par le champ électrique collecteur-base avant d'avoir pu se recombiner (la largeur de

Base et sur les deux extrémités appelées Collecteur et Emetteur. La couche centrale est très mince par rapport aux autres. Sa largeur doit être très inférieure à la longueur de diffusion des porteurs injectés dans cette zone. En fonctionnement normal la jonction base émetteur est polarisée dans le sens passant (VBE # 0,7V) et la jonction base collecteur dans le sens bloquant (VC>VB). Pour un dopage d'émetteur très supérieur à celui de la base, le courant Emetteur- Base est essentiellement constitué par

Figure N°1: Montage en base commune L'entrée se fait sur l'émetteur et la sortie se fait sur le collecteur. Son impédance d'entrée est très basse, de quelques dizaines d'ohms, alors que son impédance de sortie est faible à moyenne, de quelques centaines à quelques KOhms, et est grosso-modo équivalente à la valeur de la résistance de charge de collecteur. Le signal de sortie est en phase avec le signal d'entrée, et le gain peut là aussi être assez élevé. Il est fonctionnel

NPN et PNP, le transistor de puissance existe essentiellement dans la première catégorie (Figure 8). C’est un composant totalement commandé à la fermeture et à l’ouverture. Il n’est pas réversible en courant, ne laissant passer que des courants de collecteur Ic positifs. Il n’est pas réversible en tension, n’acceptant que des tensions VCE positives lorsqu’il est bloqué. IC VCE IB VBE IE Figure 8 Fonctionnement du composant parfait Le transistor possède deux types de fonctionnement : • le mode en

la sensibilité n’est pas à 0 dB. Ce qui signifie qu’une perte en amplitude est inévitable. De plus il y a l’atténuation du signal dans l’air. Forme Le couple émetteur récepteur à une bande passante centrée sur 40 kHz. Comme les impulsions de sinusoïdes sont envoyées à 200Hz, cette fréquence est très atténuée. L’effet du couple émetteur / récepteur est le même qu’un filtre. Atténuation Il ne s’agit plus de l’effet du HP et du microphone mais de l’atténuation et de la dispersion du son dans l’air

Retour au menu ! Le transistor en commutation 1 – Principe On considère un transistor branché en émetteur commun avec une polarisation par résistance de base RB. Un inverseur (figure 1-a) permet de relier la résistance RB soit au générateur E soit à la masse. Ic E/Rc Rc C E B Rb E E B C E 0 Vs E M Fig. 1 Fig. 2 A Vce E Fig. 3 Les équations des droites d’attaque et de charge (figure 1-b) sont : VBE = E – RB.IB (≈ 0,6 V) ⇒ IB = (E – VBE)/RB

respectivement fixées sur la partie centrale appelée Base et sur les deux extrémités appelées Collecteur et Emetteur. La couche centrale est très mince par rapport aux autres. Sa largeur doit être très inférieure à la longueur de diffusion des porteurs injectés dans cette zone. En fonctionnement normal la jonction baseB émetteur est polarisée dans le sens passant (VBE # 0,7V) et la jonction base collecteur dans le sens bloquant (VC>VB). Pour un dopage d'émetteur très supérieur à celui de la base

tension Zener en fonction de la température. 2.2.2 Diode Zener enterrée (buried Zener) La diode Zener est un élément abondamment utilisé dans les applications non critiques. Les designers de circuits intégrés utilisent les jonctions Base – Emetteur des transistors NPN, polarisées en inverse, comme diode Zener de référence. L’effet Zener apparait à la surface de la puce, là où les effets de contamination et les charges d’oxyde sont les plus importantes. Ces jonction sont bruyantes et souffrent

une tension, moduler un signal ainsi que de nombreuses autres utilisations. Un transistor est un dispositif semi-conducteur à trois électrodes actives, qui permet de contrôler un courant (ou une tension) sur une des électrodes de sorties (le collecteur pour le transistor bipolaire et le drain sur un transistor à effet de champ) grâce à une électrode d'entrée (la base sur un transistor bipolaire et la grille pour un transistor à effet de champ). Le terme transistor provient de l’anglais transfer

Vcc is Vcc ve R T2 iC On peut utiliser par exemple un système à diodes qui maintient entre les deux bases une tension égale à la somme des tensions de seuil des jonctions base-émetteur des transistors. Par raison de symétrie, le potentiel du point commun aux diodes est le même que celui des deux émetteurs, c'est à dire 0 V. En augmentant la valeur de Rv, on augmente l'intensité du courant dans les diodes ce qui a pour conséquence de rendre les transistors un peu plus conducteurs. Ce dispositif