Émetteur

Rester courtois, user de la diplomatie toute en gardant son sang froid. Si le justiciable reste agressif et insistant et qu’il commence à prendre un ton sévère pour asseoir son autorité en tant que représentant de l’ordre. Ensuite par le biais des émetteurs-récepteurs (talkie-walkie), ils interpellent les autres agents de sécurités pour pouvoir le calmer puis l’évacuer. S’il outre passe le protocole de sécurité, là en cas de force majeur, ils font appels à la police par le biais du téléphone pour qu’ils

transistor passe par le régime linéaire caractérisé par iC # β . iB. En supposant que vBE # vBE0 le courant base est imposé par le circuit d'entrée et on peut le considérer égale à : (6') IB0 = ( V2 - VBE0 ) / Rth Le gain en courant β en montage émetteur commun varie en fonction de la fréquence (avec le circuit équivalent de Giacoletto) : β(jω) = β0 /(1+jτ2ω) (7) où τ2 # τ + ( 1 + β0 ).CB'C . RC et τ est la durée de vie des porteurs dans la base. En régime linéaire on peut écrire : iC(jω) = β(jω)

fréquence telle que les différents condensateurs de liaison puissent être assimilés à des fils pour ces signaux. L’amplitude de ces signaux variables est suffisamment faible pour valider le modèle « petits signaux » du transistor. 3.2 Amplificateur émetteur commun. +Vcc Schéma structurel : L’injection des variations sinusoïdales (uE) s’effectue sur la base du transistor, à travers la capacité de liaison C1. Le prélèvement des ondulations est fait sur l’émetteur , au travers d’une capacité de liaison

interrupteur (entre C et E) commandé par la base. interrupteur ouvert Il existe deux types de transistors bipolaires : les NPN et les PNP. Le transistor est doté de trois broches repérées B, C et E et appelées respectivement : Base, Collecteur et Emetteur. Le transistor est bloqué si : Ib est nul ⇒ Ic = 0 II SYMBOLE PNP NPN Ic = Le transistor est équivalent à : Veb Ib B Vbe C B Vce Ib E Ie C Ib = 0 Ie Ic B E Vec E C Ic III DÉFINITION

avec un courant de 20mA. Pour un fonctionnement en commutation, on satisfait donc l’inéquation IB ≥ IC / 30 000 pour obtenir la saturation du Darlington. Pour le dimensionnement de la résistance de base, il faut tenir compte des deux jonctions base-émetteur : on a donc un VBE > 1,2V (voir notice technique du composant utilisé) qui correspond à la somme des deux VBE des transistors. De même pour le calcul du courant IC SAT il faut également tenir compte que : VCE SAT = VCE SAT T1 +VBE T2 > 0,2V (voir

depasse la tension de reference du LM, ce dernier s’active. Le courant ne passe plus dans le transistor mais il va dans la suite de notre circuit. On a donc plusieurs creneaux tres cour. La resistance en sortie du LM311 sert a avoir un montage a emetteur commun quand le transistor est passant. Nous avons mis un offset de 2,5V pour pouvoir mieux regler le niveau de reference. Page 5 RAPPORT DU BE D’ELECTRONIQUE MONOSTABLE Il nous permet d’allonger le signale et de « filtrer » le nombre de

TRANSISTOR BIPOLAIRE I – Introduction I.1 – Constitution n Le  transistor  bipolaire  est  réalisé  dans  un  monocristal  comportant  trois  zones  de  dopage différentes. n p p n C ⇔ collecteur base émetteur p n p On reconnaît deux jonctions PN  que  l'on  peut  considérer  comme  deux diodes lorsque le transistor  n'est pas polarisé. B n E Pour polariser correctement un transistor, il faut que : la jonction entre B et E soit polarisée dans le sens direct

Amplification de courants par transistor bipolaire. I. Le transistor bipolaire : Un transistor comporte trois bornes : la base noté B, l’émetteur E et le collecteur C Ils sont de deux types : soit NPN soit PNP. Symboles : [pic] Relation entre les courants : [pic] Ecrire la loi des mailles pour retrouver la relation suivantes dans les 2 cas : [pic] II. Relevé de la caractéristique d’entrée du transistor : On désire relever la caractéristique d’entrée VBE( IB )

Amplificateurs à base de transistor bipolaire Introduction Alimentation PDC Zg eg ie Circuit amplificateur is ve vs ZC Excitation Pin 18/10/2004 Amplification PL Charge Pout 1 Amplificateurs à base de transistor bipolaire Introduction Le principe de conservation de l’énergie stipule : Pin + PDC = Pout + PL avec : Pin Pout PDC PL : Puissance du faible signal variable d’entrée ; : Puissance du signal de sortie, amplifié ; : Puissance continue de polarisation

1ère génie électrotechnique année scolaire 2002-2003 TP n°26 : le transistor bipolaire : présentation et réseau de caractéristiques Objectifs du TP : - avoir une notion de l’effet transistor ; - relever le réseau de caractéristique d’un transistor bipolaire ; - déterminer le facteur d’amplification en courant de ce transistor. I Présentation du transistor bipolaire 1.1 Description et symboles Un transistor bipolaire est un composant électronique à trois électrodes, reliées chacune à une région