Processus p

Séries fonctionnant en logique non saturée : S ( Schottky ); L.S ( Low Power Schottky ); A.L.S ( Advanced L.S ); A.S ou F.A.S.T (Fairchild A.S Technology). La technologie MOS contient les familles logiques suivantes : - MOS : à canal N - MOS : à canal P - CMOS : MOS complémentaire III - 2 - Technologie bipolaire : Nous allons décrire par la suite trois familles logiques importantes à savoir T2.L, I2.L et E.C.L. III - 2 - 1- Famille logique T2.L : III - 2 - 1- 1 - Introduction : La fabrication des circuits

Les principaux composants et fonctions électroniques I – LES DIODES I – 1 – Physique des composants La diode à jonction est un composant électronique constitué essentiellement d’une jonction P-N qui est la zone très mince d’un monocristal semi-conducteur dans laquelle la conduction passe du type P au type N. ZAÏBI.G 2 I – 1 – Physique des composants I – 1 – 1 – Les semi-conducteurs a / Semi-conducteurs intrinsèques (ou purs) : • Ce sont des matériaux qui sont isolants presque parfaits

Enoncés È Exercice 9.1 |α| = IC /IE = 99,5/100 = 0,995. β = α/(1 – α) = IC/IB ≈ 200 Exercice 9.2 Le circuit d’entrée donne : IB = (VBM – VBE)/RB = 9,3/(47.103) = 0,2 mA. Le circuit de sortie donne : VCE = VCC – RC.IC = 10 – RC.β.IB = 10 – 5.β ; Tout transistor ainsi alimenté est saturé (VCE ≈ 0 ; IC < β.IB). Exercice 9.3 Le circuit d’entrée donne : IB = (VBM – VBE)/RB = 4,3/(4,7.103) = 0,915 mA. Le circuit de sortie donne : VCE = VCC – RC.IC = 5 – 0,43.β ; Tout transistor ayant un

DIODES SPÉCIALES. DIODES ZENER. Préréquis: Cours sur la diode Durée : 4 périodes But : (a) Etude de la caractérisique d’une diode Zener; (b) Tracer le schéma équivalent d’une diode Zener; © Etude de stabilisation de tension. Caractéristique. Nous avons déjà parlé de l'effet zéner. Il concerne la caractéristique inverse de la diode. En direct, une diode zéner se comporte comme une mauvaise diode normale. En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet zéner et / ou d'avalanche

semiconducteur est suffisamment élevée. La tension inverse permettant la conduction brusque de la diode est appelée tension Zener. Pour obtenir une tension Zener, il faut fortement doper la jonction p-n de la diode de manière à permettre un passage « facile » des électrons de la bande de valence de la zone dopée p à la bande de conduction de la zone dopée n. Les porteurs de charges (des éléments de dopage) ainsi libérés sont assez nombreux pour que le courant augmente brutalement et pour que la tension

comprenant deux jonction PN. Il peut être assimilé a deux diodes « tête-bêche » mais, en pratique, il n peut être remplacés par deux diodes simples. Le transistor est composés de trois régions : Une région N fortement dopée pour l’émetteur E. Une région P faiblement dopée pour la base B et une grande région N moyennement dopée pour le collecteur C. Le transistor permet donc d’amplifier de faibles signaux électriques. Schémas Electroniques : P2/7 Relevées des données Par ordinateur : VCE [mV] |

le message vers le cortex frontal, sur les zones contrôlant : les émotions, l'attention, l'agressivité et bien sûr sur le système de récompense dans son ensemble. Sa sécrétion entraîne une sensation de bien-être. Mais nous avions vu que la substance P était sécrétée au moment de l'arrivée d'un message nerveux nociceptif, quant est-il pour la dopamine? La sécrétion de dopamine est elle aussi reliée à des stimuli extérieurs. Ainsi, la vue d'aliments apétissants ou tout autres sensations agréables engendreront

apogée dans les années 1970 et 1980 avec des groupes comme The JB's (les musiciens de James Brown), Sly and the Family Stone, Tower of Power, suivis par Bootsy Collins et George Clinton avec leurs formations déjantées (Parliament et Funkadelic : le P-Funk ! Un son beaucoup plus axé sur les basses et les « beats » : les prémisses du nu soul ?). En 1966, les latinos de New York inventent la latin soul, également appelée boogaloo. Durant les années 1970, de très bons disques sont produits et deviendront

I. -BUT Les travaux pratiques numéro 1 en électronique “Caractéristiques d’une diode” nous a permit dans le premier temps de voir a travers l’oscilloscope, la caractéristique d’une diode au silicium et celui d’une diode zener et dans un deuxième temps de voir comment varier leurs tensions du en direct comme en inverse lorsqu’on fait varier la tension du GBF. Mais nous tenons a rappelé que ces composantes sont de type non linéaires avec I=Is(e qv/kt - 1). II. BRANCHEMENT EN DIRECT 1) DIODE AU

(transformateur)), et plus tard, la fiabilité, le faible coût II. PRINCIPE ET CARACTÉRISTIQUES. A. INTRODUCTION À L'EFFET TRANSISTOR. Nous avons déjà vu à propos de la diode que si celle-ci est polarisée en inverse, les porteurs minoritaires (électrons de la zone P et trous de la zone N, créés par l'agitation thermique) traversent sans problèmes la jonction et sont accélérés par le champ extérieur. On a vu aussi que lorsque les porteurs majoritaires d'une zone franchissent la jonction, ils deviennent minoritaires