Processus p

LEEA 3emeA, C. TELLIER, 23.08.04 1 Chapitre 2 : Jonction P-N et diodes 1. Description de la jonction P-N 1.1 Phénomènes physiques à l'établissement de la jonction (pas de tension de polarisation, équilibre thermodynamique) • Il existe un gradient de concentration à la jonction les porteurs majoritaires d'une région diffusent vers la région ou ils sont en plus faible concentration au voisinage de la jonction on a apparition d'une: zone de déplétion (pas de porteurs libres) correspond

description Un transistor est un élément semi-conducteur comportant deux zones de conductibilité déterminées, séparées par une zone de conductibilité contraire. On distingue les transistors NPN (deux zones N séparées par une zone P) et les transistors PNP (deux zones P séparées par une zone N). Il est obtenu non pas en accolant deux diodes, mais en réalisant deux jonctions dans le même monocristal. Le transistor bipolaire(BJT) est formé de trois couches de semi-conducteurs dopés :  l'émetteur

represents un direction of the current flow. The un courton circuit dans l’autre. Une cathode, an old term taken from vacuum laquelle le courant the diode represents the diode consiste en une jonction p-n, dans tube days. Physically thecircule is amat´riel p vers le current flow predominantly from p to n type material. diode du pn e junction with n. 1. Choose a silicon diode and measure its forward and reverse resistance with the digital Figure 1: La direction de la diode est indiqu´eupon the

fonctionnement était basé sur l'effet thermoélectronique. Le silicium a apporté les avantages suivants : coût, fiabilité, encombrement, simplicité d'utilisation . 06/03/2014 4 Materiaux de type P et N ECINE 2ème année http://www.ineer.org/Events/ICEE1999/Proceedings/papers/334/334.htm Jonction P-N ECINE 2ème année http://www.ineer.org/Events/ICEE1999/Proceedings/papers/334/334.htm Recombinaison des porteurs ECINE 2ème année http://www.ineer.org/Events/ICEE1999/Proceedings/papers/334/334

 Etude Des Caractéristiques D’une Diode Redressement et filtrage 1) But de la manipulation Cette manipulation a pour but d’étudier toutes les caractéristiques et les fonctionnalités de la diode, et ceux de la diode Zener. 2) Etude d’une diode de redressement 1.1) Etude Théorique La diode est un composant passif qui fait partie de la famille des semi-conducteurs, il en constitue d’ailleurs le plus simple élément. La diode se compose d’une jonction PN, Positif Négatif

Notion du processus stochastique et fonctions aléatoires AKadrani Institut National de Statistiques et Economie Appliquée (INSEA) Rabat, Avril 2013 Chapitre 1 Processus stochastique et fonctions aléatoires Introduction Un système naturel physique évoluant dans le temps et assujeti au hasard peut être représenté par une fonction X (t, w ) où t ∈ T (T est souvent le temps) et w ∈ Ω où (Ω, F, P) est un espace probabilisé. Deux façons pour représenter ce système: 1 Une famille

Universit´ d’Orl´ans e e Nils Berglund Version de Juillet 2010 Table des mati`res e I Processus en temps discret . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 3 . 3 . 4 . 6 . 7 . 9 . 11 13 13 14 14 16 1 Exemples de processus stochastiques 1.1 Variables al´atoires i.i.d. . . . . . . . . . e 1.2 Marches al´atoires

Institut national de statistique et d'économie appliquée Cycle des ingénieurs d'Etat Module Processus stochastiques et Files d'attente Filières Statistique-Economie, Statistique-Démographie :1ère année, Semestre2 Élément : Files d’attentes Support de cours donné par le Pr. K. Rahhali pour les Filières Stat-Economie et Stat-Démographie Année universitaire 2014-2015, Semestre 2 (Document résumant les grands axes de l’élément et ne pouvant en aucun cas remplacer les séances de cours en présentiel)

Table des mati`res e 1 Introduction aux d´riv´s e e 2 Le mod`le de Cox-Ross-Rubinstein [1979] e 2.1 Les hypoth`ses du mod`le . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e e 2.2 Le mod`le CRR ` une p´riode : ´valuation sous probabilit´ risque neutre e a e e e 2.3 Arbre binomial ` deux p´riodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a e 2.4 Evalutation d’un put am´ricain . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 2.5 Convergence vers Black Scholes . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . de fonctions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 4 2 3 2 Dénition de l'intégrale stochastique au sens d'Itô 5 5 8 8 3 Formule d'Itô Processus d'Itô et formule d'intégration par parties . . . . . . . . . . . . . . . . . . Formule d'Itô en dimension 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .