Collecteur d'admission

1). Figure 1: structures et symboles des transistors bipolaires La couche médiane est appelée base. Leur géométrie et leur nombre volumique en impuretés distinguent les deux couches externes: émetteur et collecteur. Par extension, on appelle également base, émetteur et collecteur les trois électrodes qui donnent accès aux trois couches correspondantes. Les deux jonctions qui apparaissent dans le transistor sont désignées par le nom des deux régions entre lesquelles elles assurent la transition;

Explication de la résistance du pull down. L'utilisation des résistances de pull-down se fait généralement après l'utilisation d'un interrupteur. En effet, contrairement au cas théorique, ouvrir un circuit (via un interrupteur) ne force pas son état à 0. Une résistance de Pull-down permet de forcer l'état d'un circuit à la masse (niveau logique 0). Cela permet d'éviter les niveaux indéterminés. En d’autres termes, le but d'une résistance de pull-down est de forcer le niveau du circuit ouvert

.................................................................................................. 33 IV.6.3 Impédance de sortie.................................................................................................... 33 IV.7 Montage collecteur commun (CC)................................................................................ 33 IV.7.1 Gain en tension.............................................................................................................. 33 IV.7.2 Impédance

transistor bipolaire Paramètres hybrides h21 = ic ib = v ce =0 ∆IC ∆I B Vce =Vce0 IC IC0 h21 On remarque graphiquement, que h21 et βF sont deux pentes proches. βF est le gain en courant statique, alors que traduit les variations du courant collecteur avec celles du courant base. En pratique, on confond ces deux grandeurs et on ne parle que d’un seul bêta pour le transistor : βF IB IB0 β = βF = h21. 18/10/2004 10 Amplificateurs à base de transistor bipolaire Rg ig c I + i

vu la base du transistor montrer que la base du transistor est bien polarisé en tension 1 Exercice 3 ! EFFETS DE LA TEMPÉRATURE SUR LES TRANSISTORS La température modifie simultanément ∆Vbe = −2.5mV OC −1 ∆T ∆Icbo - La jonction bloquée base collecteur = 50nAO C −1 ∆T ∆β - Le gain en courant = 0.6%O C −1 β ∆T 1. On rappelle : Ic = βIb + (β + 1)ICbo Montrer que variation ∆Ic du courant Ic en fonction ∆Vbe, ) ∆Icbo et ∆β engendrés(par la variation de température peut être sous forme : 2. ΛIc = SVbe

courant de ce transistor. I Présentation du transistor bipolaire 1.1 Description et symboles Un transistor bipolaire est un composant électronique à trois électrodes, reliées chacune à une région précise d’un petit bloc de silicium : la base, le collecteur et l’émetteur. Il existe deux sortes de transistors bipolaires : les transistors NPN et les transistors PNP. 1.2 Vidéo : l’Effet transistor Regardez attentivement la vidéo « Effet transistor », et répondez aux questions suivantes : 1 – Quels

F = i . l∆ B ( ) Circuit d’inducteur B Bobinage de l’inducteur I ROTOR I No rd Bobinage de l’induit J Composée de deux circuits bobinés (un circuit inducteur et un circuit induit) et d’un dispositif de commutation (collecteur et balais) 4 Principe de la machine électrique (rappel) Forces de Laplace : Circuit d’induit B F F I. d l I. d l I. d l F r r r F = i . l∆ B ( ) Circuit d’inducteur B Attention à l’orientation des forces B I. d l B

d'un rotor bobiné relié à un collecteur rotatif inversant la polarité de chaque enroulement rotorique au moins une fois par tour de façon à faire circuler un flux magnétique transversal en quadrature avec le flux statorique. Les enroulements rotoriques sont aussi appelés enroulements d'induits, ou communément « induit » en référence au fonctionnement en génératrice de cette machine. 2) Constitution et principe physique Le courant  injecté via les balais au collecteur, traverse un conducteur

Montages fondamentaux du transistor bipolaire . . . . . . . . . . 41 3.2.1 Attaque par la base et attaque par l’émetteur . . . . . . . 41 3.2.2 Montage émetteur commun . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 3.2.3 Montage collecteur commun . . . . . . . . . . . . . . . . . 47 3.2.4 Montage base commune . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 3.3 Résumé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53 3.4 Présentation graphique de

.......................................................................................7 Amplificateur à montage émetteur commun ......................................................................................... 7 Amplificateur à montage collecteur commun ..................................................................................... 17 AMPLIFICATEUR DE CLASSE B ET AB..................................................................................................................19 Amplificateur