Grille Aggir

Formation d’ingénieur en génie électrique par apprentissage Le thyristor GTO Electronique de puissance SOMMAIRE INTRODUCTION 3 STRUCTURE ET TECHNOLOGIE DU GTO 4 INTRODUCTION Les concepts et les progrès technologiques ont permis à l’électronique de puissance de contrôler des puissances de plusieurs MVA. Les premiers composants permettant d’atteindre cette gamme de puissance ont été les composants bipolaires avec le thyristor puis le thyristor GTO. Les derniers composants apparus

TP EEA 3.2 -Électrotechnique- Redressement monophasé non commandé Simulation en électronique de puissance avec PSIM Introduction Le schéma classique de transport d'énergie électrique de la centrale de production vers le particulier est donné ci-dessous. Centrale EDF Production d'énergie Transformateur 20 000V/50Hz RTE Transport Transformateur 400 000V/50Hz 225 000V/50Hz 63 000V/50Hz Particulier Compteur Convertisseur 230V/50Hz 230V/50Hz 25 000V/4 400Hz 5V, 12V DC... Illustration 1 : Schéma

Rapport de TP SEMI TP simulation MatLab Romain Clerc Apprenti Ingénieur en Génie Électrique Binôme : Tom Etienne Année universitaire 2012-2013 Rapport de TP SEMI MatLab Clerc Romain, Mai 2013 2 Rapport de TP SEMI MatLab Sommaire Liste des figures ___________________________________________________________________ 4 1. Introduction __________________________________________________________________ 5 1.1. 1.2. Les formules utilisé _______________________________________________________________________

E Series Eaton E Series DX Onduleur triphasé 20, 30, 40 kVA Onduleur On-line Double Conversion L ’onduleur triphasé Eaton E-series DX est de technologie ON-LINE double conversion. Disponible en puissances de 20, 30, et 40 kVA, équipé de batteries internes, il peut délivrer jusqu’à 15 min d’autonomie sur charge informatique typique. Son design compact lui permet de s’adapter parfaitement aux espaces limités et aux environnements les plus contraignants (IP21). L ’onduleur Eaton E-series

la tension substrat VB sont différentes. Dans le cas d'un NMOS la tension substrat VB est la tension d'alimentation basse VSS (souvent la masse 0V) et si VSB > 0 alors VTn > VTn0 VBS = 0 ? oui non D drain Calculer VTn VTn = VTn0 G grille B substrat La tension VGS d'un NMOS doit être positive et > VTn pour qu'un courant IDn circule dans le transistor (toujours de D vers S) IDn S source VGS > VTn ? oui non Qn bloqué IDn = 0 Qn passant Calculer VDS La tensionVDSsat

arc électrique s'établirait entre les contacts qui ne couperaient plus aucun courant. Seuls les interrupteurs statiques à base de semi conducteurs sont utilisés. On trouve : • la diode, • le transistor bipolaire, • le transistor à effet de champ à grille isolé (MOS), • l'IGBT (insulated gate bipolar transistor), • le thyristor "classique", • le thyristor GTO (gate turn off). 1 Principes fondamentaux : Aire de sécurité en direct : Un composant de puissance ne peut pas faire passer un courant infini

Les Transistors sont de petits éléments électroniques à base de silicium. Il en existe de 2 types, Les NPN et les PNP. Le NPN et le PNP sont les dopages d'un élément électronique. Pour un capteur NPN par exemple, vous avez 3 couches de silicium "Bohrées" .S'il est NPN cela veut dire que la 1ière couche est dopé négativement, la 2nd positivement et la 3ième négativement. Gap Pour crée un transistor, on ajoute des impureté en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés

Il est rendu passant grâce à une tension vGS positive (de l’ordre de quelques volts). La grille est isolée du reste du transistor, ce qui procure une impédance grille-source très élevée. La grille n’absorbe donc aucun courant en régime permanent. La jonction drain-source est alors assimilable à une résistance très faible : RDSon de quelques mΩ. On le bloque en annulant vGS, RDS devient alors très élevée. Grille (G) iD Drain (D) Substrat Source (S) vDS vGS Figure 28 : Transistor MOS.

G : Grille (Gate), B : Substrat (Bulk). 2-CONSTITUTION Les circuits PMOS sont Constitué uniquement de transistors MOS à enrichissement canal P. Etant des MOSFET (Métal Oxyde Semi-conducteur Field Effet Transistor) ou TECMOS (transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur) les transistors PMOS enrichissement doivent leur nom à leur structure en sandwich : un semi-conducteur, une couche d’oxyde (SiO2), une métallisation (aluminium, silicium poly cristallin) constituant la grille. Cette

2 exercices corrigés d’Electronique de puissance sur l’onduleur Exercice Ond01 : onduleur autonome On réalise le montage suivant en utilisant quatre interrupteurs électroniques, fonctionnant deux par deux : iG iK1 K1 R i K4 u K3 K2 E Le générateur de tension continue a une f.e.m. E égale à 24 V. La charge est une résistance de valeur R = 100 Ω. Le fonctionnement des interrupteurs est résumé sur le diagramme ci-dessous : K1, K 3 fermés 0 1 4 6 K2, K4 fermés T 9 10 t (ms) Les